Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

GT30J121(Q)

Name: Toshiba GT30J121(Q)
Brand: Toshiba
SKU: 757-GT30J121(Q)
Price: 4.24 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

757-GT30J121(Q)

Số nhà sản xuất:

GT30J121(Q)

Nsx:

Toshiba

Bảng dữ liệu:

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Tồn kho:: 82 Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 18 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	Toshiba
Danh mục Sản phẩm:	IGBT
RoHS:
Công nghệ:	Si
Đóng gói / Vỏ bọc:	TO-3P-3
Kiểu gắn:	Through Hole
Cấu hình:	Single
Điện áp cực góp-cực phát VCEO tối đa:	600 V
Điện áp bão hòa cực góp-cực phát:	2 V
Điện áp cực cổng cực phát tối đa:	- 20 V, 20 V
Dòng cực góp liên tục ở 25°C:	30 A
Pd - Tiêu tán nguồn:	170 W
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 55 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 150 C
Sê-ri:	GT30J121
Đóng gói:	Tube
Nhãn hiệu:	Toshiba
IC dòng cực góp liên tục tối đa:	30 A
Loại sản phẩm:	IGBT Transistors
Số lượng Kiện Gốc:	100
Danh mục phụ:	IGBTs
Đơn vị Khối lượng:	6.756 g