Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Bạn gặp lỗi?

TK100L60W,VQ

Name: Toshiba TK100L60W,VQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK100L60WVQ
Price: 30.3 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

757-TK100L60WVQ

Số nhà sản xuất:

TK100L60W,VQ

Nsx:

Toshiba

Mô tả:

MOSFETs DTMOSIV 600V 18mOhm 100A 800W 15000pF

Bảng dữ liệu:

TK100L60W,VQ Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về Toshiba TK100L60W,VQ

Có hàng: 74

Tồn kho:: 74 Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 20 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$30.30	$30.30
	$23.19	$231.90
	$21.45	$2,145.00
2,500	Báo giá

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	Toshiba
Danh mục Sản phẩm:	MOSFET
RoHS:
Công nghệ:	Si
Kiểu gắn:	Through Hole
Đóng gói / Vỏ bọc:	TO-3PL-3
Cực tính transistor:	N-Channel
Số lượng kênh:	1 Channel
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn:	600 V
Id - Dòng cực máng liên tục:	100 A
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn:	15 mOhms
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn:	3.7 V
Qg - Điện tích cực cổng:	360 nC
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 55 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 150 C
Pd - Tiêu tán nguồn:	797 W
Chế độ kênh:	Enhancement
Thương hiệu:	DTMOSIV
Đóng gói:	Tube
Nhãn hiệu:	Toshiba
Cấu hình:	Single
Thời gian giảm:	125 ns
Loại sản phẩm:	MOSFETs
Thời gian tăng:	130 ns
Sê-ri:	TK100L60
Số lượng Kiện Gốc:	100
Danh mục phụ:	Transistors
Loại transistor:	1 N-Channel
Thời gian trễ khi tắt điển hình:	690 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình:	230 ns
Đơn vị Khối lượng:	7 g

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

TK100L60W,VQ Bảng dữ liệu (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in R_DS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the R_DS(on) makes it possible to house lower R_DS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.