TK5A80E,S4X

Toshiba
757-TK5A80ES4X
TK5A80E,S4X

Nsx:

Mô tả:
MOSFETs TO220 800V 5A N-CH MOSFET

Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Có hàng: 148

Tồn kho:
148 Có thể Giao hàng Ngay
Thời gian sản xuất của nhà máy:
30 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$2.25 $2.25
$1.10 $11.00
$1.01 $101.00
$0.737 $368.50
$0.669 $669.00
$0.668 $1,670.00
$0.643 $3,215.00

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
Toshiba
Danh mục Sản phẩm: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220SIS-3
N-Channel
1 Channel
800 V
5 A
2.4 Ohms
- 30 V, 30 V
2.5 V
20 nC
- 55 C
+ 150 C
40 W
Enhancement
MOSVII
Tube
Nhãn hiệu: Toshiba
Cấu hình: Single
Thời gian giảm: 15 ns
Loại sản phẩm: MOSFETs
Thời gian tăng: 25 ns
Sê-ri: TK5A80E
Số lượng Kiện Gốc: 50
Danh mục phụ: Transistors
Loại transistor: 1 N-Channel
Thời gian trễ khi tắt điển hình: 80 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình: 55 ns
Đơn vị Khối lượng: 2 g
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

π-MOS VII MOSFETs

Toshiba π-MOS VII MOSFETs are 10V Gate Drive, single N-channel devices, combining π-MOS technology with a planar process to provide a wide selection of voltage and RDS(ON) ratings. These high-voltage MOSFETs offer a drain-source voltage range of 250V up to 650V and a drain current range from 2A to 20A. Vishay π-MOS VII MOSFETs are offered in TO-220-3 and TO-252 through-hole packages and compact DPAK-3 and PW-Mold-3 surface mount packages.