TPH8R80ANH,L1Q
Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm
757-TPH8R80ANHL1Q
TPH8R80ANH,L1Q
Nsx:
Mô tả:
MOSFETs N-Ch 120V 59A 61W UMOSVIII 2180pF 33nC
MOSFETs N-Ch 120V 59A 61W UMOSVIII 2180pF 33nC
Bảng dữ liệu:
Có hàng: 8,893
-
Tồn kho:
-
8,893 Có thể Giao hàng NgayĐã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
-
Thời gian sản xuất của nhà máy:
-
16 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Giá (USD)
| Số lượng | Đơn giá |
Thành tiền
|
|---|---|---|
| Cut Tape / MouseReel™ † | ||
| $2.50 | $2.50 | |
| $1.62 | $16.20 | |
| $1.11 | $111.00 | |
| $0.884 | $442.00 | |
| $0.83 | $830.00 | |
| $0.769 | $1,922.50 | |
| Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 5000) | ||
| $0.715 | $3,575.00 | |
| 25,000 | Báo giá | |
† $7.00 Phí MouserReel™ sẽ được thêm và tính vào giỏ hàng của bạn. Không thể hủy và gửi trả tất cả đơn hàng MouseReel™.
↩
Bảng dữ liệu
Application Notes
- Bipolar Transistors
- Bipolar Transistors
- Bipolar Transistors
- Bipolar Transistors Maximum Ratings
- Impacts of the dv/dt Rate on MOSFETs
- MOSFET Avalanche Ruggedness
- MOSFET Gate Driver Circuit
- MOSFET Parallening (Parasitic Oscillation Between Parallel Power MOSFETs)
- Parasitic Oscillation and Ringing of Power MOSFETs
- Power MOSFET Electrical Characteristics
- Power MOSFET Maximum Ratings
- Power MOSFET Selecting MOSFETs and Consideration for Circuit Design
- Power MOSFET Structure and Characteristics
- Power MOSFET Thermal Design and Attachment of a Thermal Fin
- Simple Guide to Improving Ripple Rejection Ratio of LDO Regulators
- Surface Mount Small Signal Transistor (BJT) Precautions for use
Models
Product Catalogs
Test/Quality Data
- CNHTS:
- 8541290000
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- JPHTS:
- 8541290100
- KRHTS:
- 8541299000
- TARIC:
- 8541290000
- MXHTS:
- 85412999
- ECCN:
- EAR99
