Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

C2M0080120D

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

941-C2M0080120D

Số nhà sản xuất:

C2M0080120D

Nsx:

Wolfspeed

Tuổi thọ:

Cũ

Bảng dữ liệu:

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Cảnh báo Vận chuyển:

Mouser hiện không bán sản phẩm này tại khu vực của bạn.

Nsx:

Wolfspeed

Số nhà sản xuất:

C4D20120A

Mô tả:

SiC Schottky Diodes SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 20A

So sánh với Phần Hiện tại

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	Wolfspeed
Danh mục Sản phẩm:	MOSFET SiC
Hạn chế Vận chuyển	Mouser hiện không bán sản phẩm này tại khu vực của bạn.
RoHS:
REACH - SVHC:
Kiểu gắn:	Through Hole
Đóng gói / Vỏ bọc:	TO-247-3
Cực tính transistor:	N-Channel
Số lượng kênh:	1 Channel
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn:	1.2 kV
Id - Dòng cực máng liên tục:	31.6 A
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn:	98 mOhms
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn:	4 V
Qg - Điện tích cực cổng:	71 nC
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 55 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 150 C
Pd - Tiêu tán nguồn:	208 W
Chế độ kênh:	Enhancement
Nhãn hiệu:	Wolfspeed
Cấu hình:	Single
Thời gian giảm:	21 ns
Độ hỗ dẫn thuận - Tối thiểu:	3.9 S
Đóng gói:	Tube
Sản phẩm:	Power MOSFETs
Loại sản phẩm:	SiC MOSFETS
Thời gian tăng:	34 ns
Số lượng Kiện Gốc:	30
Danh mục phụ:	Transistors
Công nghệ:	SiC
Loại:	Silicon Carbide Power MOSFET
Thời gian trễ khi tắt điển hình:	23.2 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình:	12 ns
Đơn vị Khối lượng:	6 g