Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

BC857BTT1

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

863-BC857BTT1

Số nhà sản xuất:

BC857BTT1

Nsx:

onsemi

Tuổi thọ:

Cũ

Bảng dữ liệu:

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Cảnh báo Vận chuyển:

Mouser hiện không bán sản phẩm này tại khu vực của bạn.

Nsx:

onsemi

Số nhà sản xuất:

BC857BTT1G

Mô tả:

Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V PNP

So sánh với Phần Hiện tại

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	onsemi
Danh mục Sản phẩm:	Bóng bán dẫn lưỡng cực - BJT
Hạn chế Vận chuyển	Mouser hiện không bán sản phẩm này tại khu vực của bạn.
RoHS:	N
Công nghệ:	Si
Kiểu gắn:	SMD/SMT
Đóng gói / Vỏ bọc:	SC-75-3
Cực tính transistor:	PNP
Cấu hình:	Single
Dòng cực góp DC tối đa:	100 mA
Điện áp cực góp-cực phát VCEO tối đa:	45 V
Điện áp cực góp-cực gốc VCBO:	50 V
Điện áp cực phát-cực gốc VEBO:	5 V
Điện áp bão hòa cực góp-cực phát:	650 mV
Pd - Tiêu tán nguồn:	200 mW
Tích độ tăng ích dải thông fT:	100 MHz
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 55 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 150 C
Sê-ri:	BC857BT
Đóng gói:	Reel
Đóng gói:	Cut Tape
Nhãn hiệu:	onsemi
Dòng cực góp liên tục:	- 100 mA
Độ lợi cực góp/cực gốc DC hfe Tối thiểu:	150
Loại sản phẩm:	BJTs - Bipolar Transistors
Số lượng Kiện Gốc:	3000
Danh mục phụ:	Transistors