FDP047N10

512-FDP047N10
FDP047N10

Nsx:

Mô tả:
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench

Tuổi thọ:
Hết hạn sử dụng:
Nhà sản xuất đã lên kế hoạch ngừng và sẽ không sản xuất nữa.
Bảng dữ liệu:
Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Có hàng: 761

Tồn kho:
761 Có thể Giao hàng Ngay
Số lượng lớn hơn 761 sẽ phải tuân thủ các yêu cầu đặt hàng tối thiểu.
Thời gian giao hàng lâu được báo cáo trên sản phẩm này.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$4.89 $4.89
$2.85 $28.50
$2.59 $259.00
$2.43 $1,215.00

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
onsemi
Danh mục Sản phẩm: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
100 V
164 A
4.7 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
210 nC
- 55 C
+ 175 C
375 W
Enhancement
PowerTrench
Tube
Nhãn hiệu: onsemi
Cấu hình: Single
Quốc gia Hội nghị: Not Available
Quốc gia phân phối: Not Available
Quốc gia xuất xứ: CN
Thời gian giảm: 244 ns
Loại sản phẩm: MOSFETs
Thời gian tăng: 386 ns
Sê-ri: FDP047N10
Số lượng Kiện Gốc: 50
Danh mục phụ: Transistors
Loại transistor: 1 N-Channel
Thời gian trễ khi tắt điển hình: 344 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình: 174 ns
Đơn vị Khối lượng: 2 g
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến.


Bạn có câu hỏi? Vui lòng truy cập Trung tâm Trợ giúp.
Để hỏi về một đơn hàng cụ thể, vui lòng đăng nhập vào tài khoản của bạn.

Nếu bạn gặp thêm vấn đề, vui lòng liên hệ với chúng tôi theo số 800-346-6873 hoặc gửi email tới help@mouser.com.