Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Bạn gặp lỗi?

BFU530XAR

Name: NXP BFU530XAR
Brand: NXP Semiconductors
SKU: 771-BFU530XAR
Price: 0.77 USD
Availability: OutOfStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

771-BFU530XAR

Số nhà sản xuất:

BFU530XAR

Nsx:

NXP Semiconductors

Mô tả:

RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor

Tuổi thọ:

Hết hạn sử dụng:

Nhà sản xuất đã lên kế hoạch ngừng và sẽ không sản xuất nữa.

Bảng dữ liệu:

BFU530XAR Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về NXP Semiconductors BFU530XAR

Sẵn có

Tồn kho:: Không Lưu kho

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 99 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến.

Thời gian giao hàng lâu được báo cáo trên sản phẩm này.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$0.77	$0.77
	$0.475	$4.75
	$0.313	$31.30
	$0.246	$123.00
	$0.21	$210.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 3000)
	$0.158	$474.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	NXP
Danh mục Sản phẩm:	Transitor lưỡng cực RF
RoHS:
Sê-ri:	BFU530X
Loại transistor:	Bipolar Wideband
Công nghệ:	Si
Cực tính transistor:	NPN
Tần số vận hành:	11 GHz
Độ lợi cực góp/cực gốc DC hfe Tối thiểu:	60
Điện áp cực góp-cực phát VCEO tối đa:	12 V
Điện áp cực phát-cực gốc VEBO:	2 V
Dòng cực góp liên tục:	40 mA
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 40 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 150 C
Cấu hình:	Single
Kiểu gắn:	SMD/SMT
Đóng gói / Vỏ bọc:	SOT-143B-4
Đóng gói:	Reel
Đóng gói:	Cut Tape
Nhãn hiệu:	NXP Semiconductors
Quốc gia Hội nghị:	Not Available
Quốc gia phân phối:	Not Available
Quốc gia xuất xứ:	CN
Dòng cực góp DC tối đa:	65 mA
Công suất đầu ra:	10 dBm
Pd - Tiêu tán nguồn:	450 mW
Loại sản phẩm:	RF Bipolar Transistors
Số lượng Kiện Gốc:	3000
Danh mục phụ:	Transistors
Mã Bí danh:	934067707215
Đơn vị Khối lượng:	8.870 mg

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

BFU530XAR Bảng dữ liệu (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210075
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

BFU5x NPN Wideband Silicon RF Transistors

NXP Semiconductors BFU5x NPN Wideband Silicon RF Transistors are AEC-Q101 qualified, low noise, high breakdown RF transistors suitable for small signal to medium power applications up to 2GHz. Offering exceptional performance, BFU5x RF Transistors generate 20dB of maximum gain and a noise figure of 0.7dB at 900MHz. These devices allow for better signal reception at low to medium power and enable RF receivers to operate more robustly in noisy environments. When used as (low-noise) amplifiers or oscillators, BFU5x RF Transistors support high supply voltages and high breakdown voltages. This makes these devices well-suited for automotive, communication, and industrial applications. The product family is available in a wide range of industry-standard packages, including SOT323, SOT23, and SOT143.