BSM180D12P3C007

ROHM Semiconductor
755-BSM180D12P3C007
BSM180D12P3C007

Nsx:

Mô tả:
MOSFET Modules Half Bridge Module SiC UMOSFET & SBD

Bảng dữ liệu:
Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.
Thêm Thông tin
Tìm hiểu thêm về ROHM Semiconductor BSM180D12P3C007

Có hàng: 12

Tồn kho:
12 Có thể Giao hàng Ngay
Thời gian sản xuất của nhà máy:
27 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Số lượng lớn hơn 12 sẽ phải tuân thủ các yêu cầu đặt hàng tối thiểu.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$563.23 $563.23
$563.13 $6,757.56

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
ROHM Semiconductor
Danh mục Sản phẩm: Mô-đun MOSFET
RoHS:  
SiC
Screw Mount
Module
N-Channel
2 Channel
1.2 kV
180 A
- 4 V, + 22 V
2.7 V
- 40 C
+ 150 C
880 W
BSMx
Tray
Nhãn hiệu: ROHM Semiconductor
Cấu hình: Dual
Thời gian giảm: 50 ns
Chiều cao: 21.1 mm
Chiều dài: 122 mm
Loại sản phẩm: MOSFET Modules
Thời gian tăng: 70 ns
Số lượng Kiện Gốc: 12
Danh mục phụ: Discrete and Power Modules
Loại: SiC Power Module
Thời gian trễ khi tắt điển hình: 165 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình: 50 ns
Vr - Điện áp ngược: 1.2 kV
Chiều rộng: 45.6 mm
Đơn vị Khối lượng: 302.171 g
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

CNHTS:
8504901900
USHTS:
8541590080
TARIC:
8541500000
MXHTS:
85415001
BRHTS:
85415020
ECCN:
EAR99

Silicon Carbide (SiC) Power Devices

ROHM Semiconductor SiC Power Devices deliver 10x the dielectric breakdown field strength, 3x the bandgap, and 3x the thermal conductivity of conventional silicon solutions. This translates to lower switching loss, lower ON resistance, and support for high-temperature operation, making it possible to minimize power loss along with module size. ROHM SiC Power Devices also allow designers to use fewer components, further reducing design complexity.

SiC Power Modules

ROHM Semiconductor SiC power modules are half-bridge SiC modules that integrate a SiC MOSFET and SiC SBD into a single package. These ROHM modules support high-frequency operation through reduced switching loss. The optimized design reduces stray inductance compared to existing solutions. And to prevent excessive heat generation, E Type models that integrate an additional thermistor are offered.

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến.


Bạn có câu hỏi? Vui lòng truy cập Trung tâm Trợ giúp.
Để hỏi về một đơn hàng cụ thể, vui lòng đăng nhập vào tài khoản của bạn.

Nếu bạn gặp thêm vấn đề, vui lòng liên hệ với chúng tôi theo số 800-346-6873 hoặc gửi email tới help@mouser.com.