BSM300C12P3E201

ROHM Semiconductor
755-BSM300C12P3E201
BSM300C12P3E201

Nsx:

Mô tả:
MOSFET Modules 1200V, 300A, Boost Chopper, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET

Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Có hàng: 4

Tồn kho:
4 Có thể Giao hàng Ngay
Thời gian sản xuất của nhà máy:
27 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Số lượng lớn hơn 4 sẽ phải tuân thủ các yêu cầu đặt hàng tối thiểu.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$625.44 $625.44
$625.25 $7,503.00

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
ROHM Semiconductor
Danh mục Sản phẩm: Mô-đun MOSFET
RoHS:  
SiC
Screw Mount
Module
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
300 A
- 6 V, + 22 V
5.6 V
- 40 C
+ 150 C
1.36 kW
Bulk
Nhãn hiệu: ROHM Semiconductor
Cấu hình: Single
Thời gian giảm: 40 ns
Chiều cao: 15.4 mm
If - Dòng thuận: 300 A
Chiều dài: 152 mm
Loại sản phẩm: MOSFET Modules
Thời gian tăng: 35 ns
Số lượng Kiện Gốc: 4
Danh mục phụ: Discrete and Power Modules
Loại: SiC Power Module
Thời gian trễ khi tắt điển hình: 155 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình: 40 ns
Ff - Điện áp thuận: 1.6 V
Vr - Điện áp ngược: 1.2 kV
Chiều rộng: 62 mm
Đơn vị Khối lượng: 615.801 g
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CNHTS:
8504409190
USHTS:
8541590080
ECCN:
EAR99

SiC Power Modules

ROHM Semiconductor SiC power modules are half-bridge SiC modules that integrate a SiC MOSFET and SiC SBD into a single package. These ROHM modules support high-frequency operation through reduced switching loss. The optimized design reduces stray inductance compared to existing solutions. And to prevent excessive heat generation, E Type models that integrate an additional thermistor are offered.