C3M0016120K1

Wolfspeed
941-C3M0016120K1
C3M0016120K1

Nsx:

Mô tả:
SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 16mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial

Tuổi thọ:
Sản phẩm Mới:
Mới từ nhà sản xuất này.
Bảng dữ liệu:
Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.
Thêm Thông tin
Tìm hiểu thêm về Wolfspeed C3M0016120K1

Sẵn có

Tồn kho:
0

Bạn vẫn có thể mua sản phẩm này bằng đơn hàng dự trữ

Đang đặt hàng:
880
Dự kiến 20/03/2026
Thời gian sản xuất của nhà máy:
25
Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$26.00 $26.00
$16.73 $167.30
$15.77 $1,892.40

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
Wolfspeed
Danh mục Sản phẩm: MOSFET SiC
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
115 A
29 mOhms
- 8 V, + 19 V
3.8 V
223 nC
- 40 C
+ 175 C
556 W
Enhancement
Nhãn hiệu: Wolfspeed
Cấu hình: Single
Thời gian giảm: 13 ns
Độ hỗ dẫn thuận - Tối thiểu: 49 S
Sản phẩm: MOSFETs
Loại sản phẩm: SiC MOSFETS
Thời gian tăng: 40 ns
Số lượng Kiện Gốc: 30
Danh mục phụ: Transistors
Công nghệ: SiC
Loại transistor: 1 N-Channel
Loại: Silicon Carbide Power MOSFET
Thời gian trễ khi tắt điển hình: 62 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình: 19 ns
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Bảng dữ liệu

PCN

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MOSFET nguồn SiC 1.200 V biên dạng thấp TO-247-4

MOSFET nguồn Silicon Carbide (SiC) 1.200 V biên dạng thấp TO-247-4 của Wolfspeed có khả năng chuyển mạch tốc độ cao với điện dung thấp và điện áp chặn cao với điện trở khi bật thấp. Các MOSFET nguồn này làm giảm thất thoát chuyển mạch và yêu cầu làm mát, đồng thời giảm thiểu dao động ở cổng. MOSFET nguồn SiC 1.200 V kết hợp một đi-ốt tự tại nhanh với khả năng phục hồi ngược thấp (Qrr). Các MOSFET nguồn này tăng mật độ nguồn và tần số chuyển mạch hệ thống. MOSFET nguồn SiC 1.200 V đi kèm trong gói tối ưu với chân nguồn điều khiển riêng biệt và có sẵn ở thân đóng gói TO-247-4 biên dạng thấp hơn. Các MOSFET công suất này không chứa halogen và tuân thủ RoHS. Các ứng dụng điển hình bao gồm điều khiển động cơ, bộ sạc pin xe điện, bộ chuyển đổi DC/DC điện áp cao, năng lượng mặt trời/ESS, UPS và bộ cấp nguồn chính hãng.

MOSFET Nguồn Silicon Cacbua 1.200 V

Wolfspeed  1.200 V MOSFET công suất Silicon Carbide làm nên chuẩn mực về hiệu suất, độ chắc chắn và tính dễ dàng thiết kế. MOSFET Wolfspeed có khả năng chuyển mạch nhanh và thất thoát chuyển mạch thấp, đảm bảo cải thiện đáng kể hiệu suất hệ thống, mật độ nguồn và tổng chi phí BOM so với các ứng cử viên IGBT và MOSFET silicon.

Silicon Carbide 1200V MOSFETs & Diodes

Wolfspeed Silicon Carbide (SiC) 1200V MOSFETs and Diodes create a powerful combination of higher efficiency in demanding applications. These MOSFETs and Schottky diodes are designed for high-power applications. The 1200V SiC MOSFETs feature stable Rds(on) over-temperature and avalanche ruggedness. These MOSFETs are rugged body diodes that do not require external diodes and are easier to drive as these offer a 15V gate drive. The 1200V SiC MOSFETs improve system-level efficiency, lower switching and conduction losses, and improve system-level power density.

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến.


Bạn có câu hỏi? Vui lòng truy cập Trung tâm Trợ giúp.
Để hỏi về một đơn hàng cụ thể, vui lòng đăng nhập vào tài khoản của bạn.

Nếu bạn gặp thêm vấn đề, vui lòng liên hệ với chúng tôi theo số 800-346-6873 hoặc gửi email tới help@mouser.com.