C3M0032120K

Wolfspeed
941-C3M0032120K
C3M0032120K

Nsx:

Mô tả:
SiC MOSFETs 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET

Bảng dữ liệu:
Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.
Thêm Thông tin
Tìm hiểu thêm về Wolfspeed C3M0032120K

Sẵn có

Tồn kho:
0

Bạn vẫn có thể mua sản phẩm này bằng đơn hàng dự trữ

Đang đặt hàng:
444
Dự kiến 05/06/2026
450
Dự kiến 15/06/2026
Thời gian sản xuất của nhà máy:
16
Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$13.26 $13.26
$8.04 $80.40
$6.89 $826.80
$6.65 $3,391.50

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
Wolfspeed
Danh mục Sản phẩm: MOSFET SiC
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
63 A
32 mOhms
- 4 V, + 15 V
3.6 V
118 nC
- 40 C
+ 175 C
283 W
Enhancement
Nhãn hiệu: Wolfspeed
Cấu hình: Single
Thời gian giảm: 9 ns
Độ hỗ dẫn thuận - Tối thiểu: 27 S
Đóng gói: Tube
Sản phẩm: MOSFETs
Loại sản phẩm: SiC MOSFETS
Thời gian tăng: 18 ns
Số lượng Kiện Gốc: 30
Danh mục phụ: Transistors
Công nghệ: SiC
Thời gian trễ khi tắt điển hình: 32 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình: 25 ns
Đơn vị Khối lượng: 6 g
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

1200V Silicon Carbide Schottky Diodes

Wolfspeed 1200V Silicon Carbide Schottky Diodes feature Merged PiN Schottky (MPS) technology and offer greater robustness and reliability than standard Schottky diodes. These Wolfspeed 1200V diodes come in various packages that can be paralleled without the risk of thermal runaway. The diodes are ideal for solar inverters, switch mode power supplies (SMPS), uninterruptible power supplies (UPS), and AC/DC converters.

MOSFET Nguồn Silicon Cacbua 1.200 V

Wolfspeed  1.200 V MOSFET công suất Silicon Carbide làm nên chuẩn mực về hiệu suất, độ chắc chắn và tính dễ dàng thiết kế. MOSFET Wolfspeed có khả năng chuyển mạch nhanh và thất thoát chuyển mạch thấp, đảm bảo cải thiện đáng kể hiệu suất hệ thống, mật độ nguồn và tổng chi phí BOM so với các ứng cử viên IGBT và MOSFET silicon.

Silicon Carbide 1200V MOSFETs & Diodes

Wolfspeed Silicon Carbide (SiC) 1200V MOSFETs and Diodes create a powerful combination of higher efficiency in demanding applications. These MOSFETs and Schottky diodes are designed for high-power applications. The 1200V SiC MOSFETs feature stable Rds(on) over-temperature and avalanche ruggedness. These MOSFETs are rugged body diodes that do not require external diodes and are easier to drive as these offer a 15V gate drive. The 1200V SiC MOSFETs improve system-level efficiency, lower switching and conduction losses, and improve system-level power density.

SiC C3M MOSFETs

Wolfspeed SiC C3M MOSFETs enable higher switching frequencies and reduce inductor, capacitor, filter, and transformer component sizes. The Wolfspeed SiC C3M MOSFETs have higher system efficiency and reduced cooling requirements. The MOSFETs also increase power density and system switching frequency.

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến.


Bạn có câu hỏi? Vui lòng truy cập Trung tâm Trợ giúp.
Để hỏi về một đơn hàng cụ thể, vui lòng đăng nhập vào tài khoản của bạn.

Nếu bạn gặp thêm vấn đề, vui lòng liên hệ với chúng tôi theo số 800-346-6873 hoặc gửi email tới help@mouser.com.