Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Quay lại Kết quả Tìm kiếm

Bạn gặp lỗi?

C4MS036120K1

Name: Wolfspeed C4MS036120K1
Brand: Wolfspeed
SKU: 941-C4MS036120K1
Price: 7.6 USD
Availability: OutOfStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

941-C4MS036120K1

Số nhà sản xuất:

C4MS036120K1

Nsx:

Wolfspeed

Mô tả:

SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 36mohm, 1200V, TO-247-4-LP, Industrial

Tuổi thọ:

Sản phẩm Mới:

Mới từ nhà sản xuất này.

Bảng dữ liệu:

C4MS036120K1 Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về Wolfspeed C4MS036120K1

Sẵn có

Tồn kho:: Không Lưu kho

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: Yêu cầu Báo giá Giao hàng

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 450 Nhiều: 450

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$7.60	$3,420.00
	$6.77	$6,093.00
	$5.75	$7,762.50

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	Wolfspeed
Danh mục Sản phẩm:	MOSFET SiC
Kiểu gắn:	Through Hole
Đóng gói / Vỏ bọc:	TO-247-4
Cực tính transistor:	N-Channel
Số lượng kênh:	1 Channel
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn:	1.2 kV
Id - Dòng cực máng liên tục:	60 A
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn:	36 mOhms
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn:	- 10 V, + 23 V
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn:	2.6 V
Qg - Điện tích cực cổng:	88 nC
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 40 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 175 C
Pd - Tiêu tán nguồn:	272 W
Chế độ kênh:	Enhancement
Nhãn hiệu:	Wolfspeed
Cấu hình:	Single
Thời gian giảm:	4 ns
Độ hỗ dẫn thuận - Tối thiểu:	20 S
Sản phẩm:	SiC MOSFET
Loại sản phẩm:	SiC MOSFETS
Thời gian tăng:	3 ns
Số lượng Kiện Gốc:	30
Danh mục phụ:	Transistors
Công nghệ:	SiC
Loại transistor:	1 N-Channel
Loại:	Silicon Carbide Power MOSFET
Thời gian trễ khi tắt điển hình:	29 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình:	12 ns

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

C4MS036120K1 Bảng dữ liệu (PDF)

ECCN:: EAR99

1200V C4MS Discrete SiC MOSFETs

Wolfspeed 1200V C4MS Discrete Silicon Carbide (SiC) MOSFETs deliver unparalleled performance in hard-switched applications. The C4MS family utilizes a fast and soft body diode that enables fast switching with minimal overshoot and ringing, thereby expanding the usable design space for engineers to tune and optimize the performance in the application. The C4MS family provides improved E_on, E_RR, and E_off losses compared to the C3M family of devices, while maintaining a low R_DS(on) temperature coefficient. This balanced approach provides maximum performance and efficiency across a wide range of both hard-switched and soft-switched topologies.