DMN53D0LW-13

Diodes Incorporated
621-DMN53D0LW-13
DMN53D0LW-13

Nsx:

Mô tả:
MOSFETs FET Enhancement Mode N-Ch .3A 2.5Vgs 56pF

Bảng dữ liệu:
Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.
Thêm Thông tin
Tìm hiểu thêm về Diodes Incorporated DMN53D0LW-13

Có hàng: 9,709

Tồn kho:
9,709 Có thể Giao hàng Ngay
Thời gian sản xuất của nhà máy:
24 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Thời gian giao hàng lâu được báo cáo trên sản phẩm này.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:
Đóng gói:
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 10000)

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
Cut Tape / MouseReel™ †
$0.28 $0.28
$0.191 $1.91
$0.121 $12.10
$0.075 $37.50
$0.059 $59.00
$0.052 $130.00
$0.045 $225.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 10000)
$0.034 $340.00
$0.032 $640.00
† $7.00 Phí MouserReel™ sẽ được thêm và tính vào giỏ hàng của bạn. Không thể hủy và gửi trả tất cả đơn hàng MouseReel™. ↩

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
Diodes Incorporated
Danh mục Sản phẩm: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SOT-323-3
N-Channel
1 Channel
50 V
360 mA
2 Ohms
- 20 V, 20 V
800 mV
1.2 nC
- 55 C
+ 150 C
420 mW
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Nhãn hiệu: Diodes Incorporated
Cấu hình: Single
Quốc gia Hội nghị: Not Available
Quốc gia phân phối: Not Available
Quốc gia xuất xứ: CN
Thời gian giảm: 11 ns
Độ hỗ dẫn thuận - Tối thiểu: 80 mS
Loại sản phẩm: MOSFETs
Thời gian tăng: 2.5 ns
Sê-ri: DMN53
Số lượng Kiện Gốc: 10000
Danh mục phụ: Transistors
Loại transistor: 1 N-Channel
Thời gian trễ khi tắt điển hình: 18.9 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình: 2.7 ns
Đơn vị Khối lượng: 6 mg
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Bảng dữ liệu

CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
854239099
TARIC:
8542399000
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99

DMN53xx N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

Diodes Incorporated DMN53xx N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are designed to minimize the on-state resistance RDS(ON) while maintaining superior switching performance. ESD protected to 2KV, these new generation MOSFETs feature low on-resistance, very low gate threshold voltage, low input capacitance, fast switching speeds, and low input/output leakage. Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability, DMN53xx N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are ideal for high-efficiency power management applications.

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

DMNxx MOSFETs

Diodes Inc. DMNxx MOSFETs are N-channel devices ideally suited for meeting the requirements of a variety of power management applications. DMNxx MOSFETs offer a variety of package options and a wide range of drain-source voltage values.

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến.


Bạn có câu hỏi? Vui lòng truy cập Trung tâm Trợ giúp.
Để hỏi về một đơn hàng cụ thể, vui lòng đăng nhập vào tài khoản của bạn.

Nếu bạn gặp thêm vấn đề, vui lòng liên hệ với chúng tôi theo số 800-346-6873 hoặc gửi email tới help@mouser.com.