Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Bạn gặp lỗi?

FS1150R08A8P3CHPSA1

Name: Infineon FS1150R08A8P3CHPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FS1150R08A8P3CHP
Price: 575.92 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

726-FS1150R08A8P3CHP

Số nhà sản xuất:

FS1150R08A8P3CHPSA1

Nsx:

Infineon Technologies

Mô tả:

Discrete Semiconductor Modules HybridPACK Drive G2 module

Tuổi thọ:

Sản phẩm Mới:

Mới từ nhà sản xuất này.

Bảng dữ liệu:

FS1150R08A8P3CHPSA1 Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về Infineon Technologies FS1150R08A8P3CHPSA1

Có hàng: 3

Tồn kho:: 3 Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 26 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$575.92	$575.92
	$512.75	$6,153.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	Infineon
Danh mục Sản phẩm:	Mô-đun bán dẫn rời rạc
RoHS:
Sản phẩm:	Power Modules
Loại:	Drive G2 Module
Công nghệ:	SiC
Ff - Điện áp thuận:	1.76 V
Vr - Điện áp ngược:	400 V
Kiểu gắn:	Press Fit
Đóng gói / Vỏ bọc:	DIP-7
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 40 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 175 V
Sê-ri:	HybridPACK
Đóng gói:	Tray
Nhãn hiệu:	Infineon Technologies
Cấu hình:	Sixpack
Thời gian giảm:	91 ns
Id - Dòng cực máng liên tục:	600 A
Pd - Tiêu tán nguồn:	1 kW
Loại sản phẩm:	Discrete Semiconductor Modules
Thời gian tăng:	50 ns
Số lượng Kiện Gốc:	6
Danh mục phụ:	Discrete and Power Modules
Thời gian trễ khi tắt điển hình:	929 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình:	222 ns
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn:	750 V
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn:	5.8 V
Mã Bí danh:	FS1150R08A8P3C SP006071554

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

FS1150R08A8P3CHPSA1 Bảng dữ liệu (PDF)

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

HybridPACK™ Drive G2 Modules

Infineon Technologies HybridPACK™ Drive G2 Modules are compact power modules designed for hybrid and electric vehicle traction. The Infineon Technologies G2 modules offer scalable performance levels using Si or SiC technologies and different chipsets, maintaining the same module size. Introduced in 2017 with silicon EDT2 technology, it was optimized for efficiency in real-world driving. In 2021, a CoolSiC™ version was introduced, offering higher cell density and better performance. In 2023, the second generation, HybridPACK Drive G2, was launched with EDT3 (Si IGBT) and CoolSiC™ G2 MOSFET technologies, providing ease of use and integration options for sensors, enabling up to 300kW performance within 750V and 1200V classes.