Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Quay lại Kết quả Tìm kiếm

Bạn gặp lỗi?

GCMS080B120S1-E1

Name: SemiQ GCMS080B120S1-E1
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMS080B120S1-E1
Price: 22.31 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

148-GCMS080B120S1-E1

Số nhà sản xuất:

GCMS080B120S1-E1

Nsx:

SemiQ

Mô tả:

Discrete Semiconductor Modules SiC 1200V 80mO MOSFET & 10A SBD SOT-227

Bảng dữ liệu:

GCMS080B120S1-E1 Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về SemiQ GCMS080B120S1-E1

Có hàng: 599

Tồn kho:: 599 Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$22.31	$22.31
	$16.19	$161.90
	$15.72	$1,572.00
1,000	Báo giá

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	SemiQ
Danh mục Sản phẩm:	Mô-đun bán dẫn rời rạc
RoHS:
REACH - SVHC:
Sản phẩm:	MOSFET-SiC SBD Modules
Loại:	COPACK Power Module
Công nghệ:	SiC
Ff - Điện áp thuận:	1.5 V
Vr - Điện áp ngược:	1.2 kV
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn:	- 10 V, + 25 V
Kiểu gắn:	Screw Mount
Đóng gói / Vỏ bọc:	SOT-227-4
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 55 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 175 C
Đóng gói:	Tube
Nhãn hiệu:	SemiQ
Cấu hình:	Single
Thời gian giảm:	14 ns
Id - Dòng cực máng liên tục:	30 A
Pd - Tiêu tán nguồn:	142 W
Loại sản phẩm:	Discrete Semiconductor Modules
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn:	77 mOhms
Thời gian tăng:	4 ns
Số lượng Kiện Gốc:	10
Danh mục phụ:	Discrete Semiconductor Modules
Cực tính transistor:	N-Channel
Thời gian trễ khi tắt điển hình:	16 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình:	9 ns
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn:	1.2 kV
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn:	2 V

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

GCMS080B120S1-E1 Bảng dữ liệu (PDF)

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

SiC MOSFET Power Modules

SemiQ SiC MOSFET Power Modules provide low on-state resistance at high temperatures with excellent switching performance, simplifying power electronic systems' thermal design. The SiC MOSFET Modules operate with zero switching loss to significantly increase efficiency and reducing heat dissipation, allowing smaller heatsinks.