Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Quay lại Kết quả Tìm kiếm

Bạn gặp lỗi?

GCMX010A120B3H1P

Name: SemiQ GCMX010A120B3H1P
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMX010A120B3H1P
Price: 117.63 USD
Availability: OutOfStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

148-GCMX010A120B3H1P

Số nhà sản xuất:

GCMX010A120B3H1P

Nsx:

SemiQ

Mô tả:

MOSFET Modules 1200V, 10mohm SiC MOSFET Full Bridge Module

Tuổi thọ:

Sản phẩm Mới:

Mới từ nhà sản xuất này.

Bảng dữ liệu:

GCMX010A120B3H1P Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về SemiQ GCMX010A120B3H1P

Sẵn có

Tồn kho:: Không Lưu kho

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 20 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 20 Nhiều: 20

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$117.63	$2,352.60
	$106.53	$10,653.00
500	Báo giá

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	SemiQ
Danh mục Sản phẩm:	Mô-đun MOSFET
RoHS:
Công nghệ:	SiC
Kiểu gắn:	Press Fit
Đóng gói / Vỏ bọc:	B3
Cực tính transistor:	N-Channel
Số lượng kênh:	4 Channel
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn:	1.2 kV
Id - Dòng cực máng liên tục:	201 A
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn:	8.9 mOhms
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn:	4 V
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 40 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 150 C
Pd - Tiêu tán nguồn:	600 W
Sê-ri:	GCMX
Đóng gói:	Bulk
Nhãn hiệu:	SemiQ
Thời gian giảm:	15 ns
Chiều cao:	15.2 mm
Chiều dài:	62.8 mm
Sản phẩm:	Modules
Loại sản phẩm:	MOSFET Modules
Thời gian tăng:	9 ns
Số lượng Kiện Gốc:	20
Danh mục phụ:	Discrete and Power Modules
Loại:	Full Bridge Module
Thời gian trễ khi tắt điển hình:	50 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình:	32 ns
Ff - Điện áp thuận:	3.9 V
Chiều rộng:	56.7 mm

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

GCMX010A120B3H1P Bảng dữ liệu (PDF)

USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Mô-đun toàn cầu MOSFET SiC GMX 1.200 V

Mô-đun toàn cầu MOSFET SiC GCMX 1200V của SemiQ có thất thoát chuyển mạch thấp, điện trở nhiệt từ khớp nối đến vỏ thấp, kết nối dễ dàng và chắc chắn. Các mô-đun này gắn trực tiếp bộ tản nhiệt (vỏ cách điện) và bao gồm tham chiếu Kelvin để hoạt động ổn định. Tất cả các bộ phận đã được thử nghiệm nghiêm ngặt để chịu được điện áp trên 1350V. Đặc điểm nổi bật của các mô-đun này là điện áp cực máng-cực nguồn 1200V mạnh. Mô-đun toàn cầu GCMX hoạt động ở nhiệt độ khớp nối 175°C và tuân thủ RoHS. Các ứng dụng điển hình bao gồm bộ biến tần quang điện, bộ sạc pin, hệ thống lưu trữ năng lượng và bộ chuyển đổi DC sang DC điện áp cao.