GCMX020B120S1-E1

SemiQ
148-GCMX020B120S1-E1
GCMX020B120S1-E1

Nsx:

Mô tả:
MOSFET Modules SiC 1200V 20mohm MOSFET SOT-227

Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.
Thêm Thông tin
Tìm hiểu thêm về SemiQ GCMX020B120S1-E1

Sẵn có

Tồn kho:
Không Lưu kho
Thời gian sản xuất của nhà máy:
3 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$31.80 $31.80
$23.41 $234.10
$23.23 $2,787.60

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
SemiQ
Danh mục Sản phẩm: Mô-đun MOSFET
RoHS:  
SiC
Screw Mount
SOT-227-4
N-Channel
1.2 kV
113 A
28 mOhms
- 5 V, + 20 V
4 V
- 55 C
+ 175 C
395 W
GCMX
Tube
Nhãn hiệu: SemiQ
Cấu hình: Single
Quốc gia Hội nghị: Not Available
Quốc gia phân phối: Not Available
Quốc gia xuất xứ: PH
Thời gian giảm: 18 ns
Loại sản phẩm: MOSFET Modules
Thời gian tăng: 8 ns
Số lượng Kiện Gốc: 30
Danh mục phụ: Discrete and Power Modules
Loại: SiC MOSFET Power Module
Thời gian trễ khi tắt điển hình: 42 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình: 21 ns
Ff - Điện áp thuận: 3.7 V
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99

SiC MOSFET Power Modules

SemiQ SiC MOSFET Power Modules provide low on-state resistance at high temperatures with excellent switching performance, simplifying power electronic systems' thermal design. The SiC MOSFET Modules operate with zero switching loss to significantly increase efficiency and reducing heat dissipation, allowing smaller heatsinks.

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến.


Bạn có câu hỏi? Vui lòng truy cập Trung tâm Trợ giúp.
Để hỏi về một đơn hàng cụ thể, vui lòng đăng nhập vào tài khoản của bạn.

Nếu bạn gặp thêm vấn đề, vui lòng liên hệ với chúng tôi theo số 800-346-6873 hoặc gửi email tới help@mouser.com.