Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Bạn gặp lỗi?

GE10MPS06E-TR

Name: Navitas Semiconductor GE10MPS06E-TR
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 905-GE10MPS06E-TR
Price: 2.76 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

905-GE10MPS06E-TR

Số nhà sản xuất:

GE10MPS06E-TR

Nsx:

GeneSiC Semiconductor

Mô tả:

SiC Schottky Diodes 650V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS

Tuổi thọ:

Sản phẩm Mới:

Mới từ nhà sản xuất này.

Bảng dữ liệu:

GE10MPS06E-TR Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về GeneSiC Semiconductor GE10MPS06E-TR

Có hàng: 2,099

Tồn kho:: 2,099 Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 16 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$2.76	$2.76
	$2.43	$24.30
	$2.31	$57.75
	$2.14	$214.00
	$2.03	$507.50
	$1.96	$980.00
	$1.88	$1,880.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 2500)
	$1.79	$4,475.00
	$1.72	$8,600.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	Navitas Semiconductor
Danh mục Sản phẩm:	Đi-ốt SiC SCHOTTKY
RoHS:
Kiểu gắn:	SMD/SMT
Đóng gói / Vỏ bọc:	TO-252-2
Cấu hình:	Single
If - Dòng thuận:	10 A
Vrrm - Điện áp ngược lặp lại:	650 V
Ff - Điện áp thuận:	1.25 V
Ifsm - Dòng tăng thuận:	55 A
Ir - Dòng ngược:	1 uA
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 55 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 175 C
Sê-ri:	SiC Schottky MPS
Đóng gói:	Reel
Đóng gói:	Cut Tape
Nhãn hiệu:	GeneSiC Semiconductor
Pd - Tiêu tán nguồn:	191 W
Loại sản phẩm:	SiC Schottky Diodes
Số lượng Kiện Gốc:	2500
Danh mục phụ:	Diodes & Rectifiers
Vr - Điện áp ngược:	650 V

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

GE10MPS06E-TR Bảng dữ liệu (PDF)

CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

650V, 1200V, & 1700V SiC Schottky MPS™ Diodes

GeneSiC Semiconductor 650V, 1200V, and 1700V SiC Schottky MPS™ Diodes provide low standby power losses and improved circuit efficiency. The 650V SiC Diodes have a forward current range of 6A to 20A. The 1200V SiC Diodes have a forward current range of 1A to 200A. The 1700V SiC Diodes have a forward current range of 5A to 50A.

650V SiC Schottky MPS™ Diodes

GeneSiC Semiconductor 650V SiC Schottky MPS™ Diodes combine excellent forward and switching characteristics with best-in-class surge current robustness and thermal conductivity. These diodes operate at 175°C maximum operating temperature and show temperature-independent switching behavior. The 650V SiC Schottky diodes feature superior Avalanche (UIS) capability and low device capacitance. One key advantage of these diodes is the ease of paralleling devices without thermal runaway. Typical applications include SMPS, EVs, motor drives, LED and HID lighting, medical imaging systems, high voltage sensing, induction heating and welding, and pulsed power.