Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Bạn gặp lỗi?

IKW30N60H3

Name: Infineon IKW30N60H3
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IKW30N60H3
Price: 3.4 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

726-IKW30N60H3

Số nhà sản xuất:

IKW30N60H3

Nsx:

Infineon Technologies

Mô tả:

IGBTs 600V 30A 187W

Bảng dữ liệu:

IKW30N60H3 Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về Infineon Technologies IKW30N60H3

Có hàng: 5,888

Tồn kho:: 5,888 Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 26 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$3.40	$3.40
	$2.21	$22.10
	$1.69	$169.00
	$1.42	$681.60
	$1.21	$1,452.00
	$1.15	$3,036.00
25,200	Báo giá

Bao bì thay thế

Nsx Mã Phụ tùng:

IKW30N60H3FKSA1

Đóng gói:

Tube

Sẵn có:

Có hàng

Giá:

$3.41

Tối thiểu:

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	Infineon
Danh mục Sản phẩm:	IGBT
RoHS:
Công nghệ:	Si
Đóng gói / Vỏ bọc:	TO-247-3
Kiểu gắn:	Through Hole
Cấu hình:	Single
Điện áp cực góp-cực phát VCEO tối đa:	600 V
Điện áp bão hòa cực góp-cực phát:	1.95 V
Điện áp cực cổng cực phát tối đa:	- 20 V, 20 V
Dòng cực góp liên tục ở 25°C:	60 A
Pd - Tiêu tán nguồn:	187 W
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 40 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 175 C
Sê-ri:	Trenchstop IGBT3
Đóng gói:	Tube
Nhãn hiệu:	Infineon Technologies
Dòng rò cực cổng-cực phát:	100 nA
Loại sản phẩm:	IGBT Transistors
Số lượng Kiện Gốc:	240
Danh mục phụ:	IGBTs
Thương hiệu:	TRENCHSTOP
Mã Bí danh:	IKW3N6H3XK SP000703042 IKW30N60H3FKSA1
Đơn vị Khối lượng:	6.500 g

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

IKW30N60H3 Bảng dữ liệu (PDF)

Product Catalogs

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

High Speed Trench & Fieldstop IGBTs

Infineon High Speed Trench & Fieldstop IGBTs use TrenchStop™ and Fieldstop technology to provide superb switching performance, very low V_CEsat, and low EMI. Infineon High Speed Trench & Fieldstop IGBTs are ideal for uninterruptible power supplies applications. The IGW25N120H3 IGBT is recommended in combination with SiC Diode IDH15S120 and is also used for solar inverter applications. The IKW15N120H3, IKW30N60H3, and IKW20N60H3 IGBTs are each part of a high speed DuoPack and come with a very soft, fast recovery anti-parallel diode.