IMBG65R030M1HXTMA1

Infineon Technologies
726-IMBG65R030M1HXTM
IMBG65R030M1HXTMA1

Nsx:

Mô tả:
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Có hàng: 1,477

Tồn kho:
1,477 Có thể Giao hàng Ngay
Thời gian sản xuất của nhà máy:
8 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Số lượng lớn hơn 1477 sẽ phải tuân thủ các yêu cầu đặt hàng tối thiểu.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:
Đóng gói:
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 1000)

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
Cut Tape / MouseReel™
$11.58 $11.58
$7.85 $78.50
$6.83 $683.00
$6.82 $3,410.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 1000)
$5.57 $5,570.00
$5.45 $10,900.00
10,000 Báo giá
† $7.00 Phí MouserReel™ sẽ được thêm và tính vào giỏ hàng của bạn. Không thể hủy và gửi trả tất cả đơn hàng MouseReel™.

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
Infineon
Danh mục Sản phẩm: MOSFET SiC
RoHS:  
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
650 V
63 A
42 mOhms
- 5 V, + 23 V
5.7 V
49 nC
- 55 C
+ 175 C
234 W
Enhancement
CoolSiC
Nhãn hiệu: Infineon Technologies
Đóng gói: Reel
Đóng gói: Cut Tape
Đóng gói: MouseReel
Sản phẩm: MOSFETs
Loại sản phẩm: SiC MOSFETS
Sê-ri: CoolSiC 650V
Số lượng Kiện Gốc: 1000
Danh mục phụ: Transistors
Công nghệ: SiC
Mã Bí danh: IMBG65R030M1H SP005539165
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

650V CoolSiC™ M1 Trench Power MOSFETs

Infineon Technologies 650V CoolSiC™ M1 Trench Power MOSFETs combine the strong physical characteristics of Silicon Carbide with unique features that increase the device's performance, robustness, and ease of use. The CoolSiC M1 MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to deliver the lowest application losses and the highest reliability in operation. Suitable for high temperatures and harsh operations, these devices enable the simplified and cost-effective deployment of the highest system efficiency. 

CoolSiC™ MOSFETs 650V

Infineon Technologies CoolSiC™ MOSFETs 650V combines the physical strength of silicon carbide with features amplifying device performance, reliability, and ease of use. With its state-of-the-art trench semiconductor process, the CoolSiC™ MOSFET delivers the lowest losses in the application and the highest reliability in operation. CoolSiC is the perfect fit for use in high-temperature and harsh environment applications.