IPA95R130PFD7XKSA1

Infineon Technologies
726-IPA95R130PFD7XKS
IPA95R130PFD7XKSA1

Nsx:

Mô tả:
MOSFETs HIGH POWER_NEW

Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Có hàng: 475

Tồn kho:
475 Có thể Giao hàng Ngay
Thời gian sản xuất của nhà máy:
8 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$5.88 $5.88
$3.27 $32.70
$2.99 $299.00
$2.51 $1,255.00

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
Infineon
Danh mục Sản phẩm: MOSFET
Si
Through Hole
TO-220FP-3
N-Channel
1 Channel
950 V
13.9 A
130 mOhms
- 30 V, 30 V
3.5 V
141 nC
- 55 C
+ 150 C
33 W
Enhancement
Tube
Nhãn hiệu: Infineon Technologies
Cấu hình: Single
Thời gian giảm: 3.6 ns
Loại sản phẩm: MOSFETs
Thời gian tăng: 14 ns
Số lượng Kiện Gốc: 500
Danh mục phụ: Transistors
Thời gian trễ khi tắt điển hình: 118 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình: 25 ns
Mã Bí danh: IPA95R130PFD7 SP005546999
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFETs

Infineon Technologies 950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFETs offer super junction (SJ) technologies. The SJ technology is ideal for lighting and industrial SMPS applications by incorporating best-in-class performance with state-of-the-art ease of use. The PFDJ provides an integrated ultra-fast body diode allowing usage in resonant topologies with the lowest reverse recovery charge (Qrr).