Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Bạn gặp lỗi?

IQEH68NE2LM7UCGATMA1

Name: Infineon IQEH68NE2LM7UCGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IQEH68NE2LM7UCGA
Price: 2.76 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

726-IQEH68NE2LM7UCGA

Số nhà sản xuất:

IQEH68NE2LM7UCGATMA1

Nsx:

Infineon Technologies

Mô tả:

MOSFETs OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

Tuổi thọ:

Sản phẩm Mới:

Mới từ nhà sản xuất này.

Bảng dữ liệu:

IQEH68NE2LM7UCGATMA1 Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về Infineon Technologies IQEH68NE2LM7UCGATMA1

Có hàng: 3,992

Tồn kho:: 3,992 Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 19 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$2.76	$2.76
	$1.78	$17.80
	$1.27	$127.00
	$1.06	$530.00
	$0.916	$916.00
	$0.87	$2,175.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 5000)
	$0.81	$4,050.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	Infineon
Danh mục Sản phẩm:	MOSFET
RoHS:
Công nghệ:	Si
Kiểu gắn:	SMD/SMT
Cực tính transistor:	N-Channel
Số lượng kênh:	1 Channel
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn:	25 V
Id - Dòng cực máng liên tục:	338 A
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn:	680 uOhms
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn:	16 V
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn:	2 V
Qg - Điện tích cực cổng:	22 nC
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 55 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 175 C
Pd - Tiêu tán nguồn:	130 W
Chế độ kênh:	Enhancement
Thương hiệu:	OptiMOS
Đóng gói:	Reel
Đóng gói:	Cut Tape
Nhãn hiệu:	Infineon Technologies
Cấu hình:	Single
Thời gian giảm:	5.1 ns
Độ hỗ dẫn thuận - Tối thiểu:	50 S
Loại sản phẩm:	MOSFETs
Thời gian tăng:	17 ns
Sê-ri:	OptiMOS 7
Số lượng Kiện Gốc:	5000
Danh mục phụ:	Transistors
Loại transistor:	1 N-Channel
Thời gian trễ khi tắt điển hình:	24 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình:	7.7 ns
Mã Bí danh:	IQEH68NE2LM7UCG SP005960141

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

IQEH68NE2LM7UCGATMA1 Bảng dữ liệu (PDF)

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

N-Channel OptiMOS™ 7 Power MOSFETs

Infineon Technologies N-Channel OptiMOS™ 7 Power MOSFETs are high-performance N-channel transistors designed for demanding power conversion applications. These MOSFETs offer very low on-resistance, superior thermal resistance, and excellent Miller ratio for dv/dt ruggedness. The OptiMOS™ 7 power MOSFETs are optimized for both hard-switching and soft-switching topologies, and FOM_oss. These MOSFETs are 100% avalanche tested and are RoHS compliant. The OptiMOS™ 7 power MOSFETs are halogen-free according to IEC61249‑2‑21.

N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs

Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs are class-leading power MOSFETs for the highest power density and energy-efficient solutions. Ultra-low gate and output charges, together with the lowest on-state resistance in small footprint packages, make ideal choices for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom, and telecom applications. Superfast switching Control FETs, together with low EMI Sync FETs, provide solutions that are easy to design. Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs provide excellent gate charge and are optimized for DC-DC conversion.