IRF540NSTRLPBF

Infineon Technologies
942-IRF540NSTRLPBF
IRF540NSTRLPBF

Nsx:

Mô tả:
MOSFETs MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC

Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Có hàng: 13,489

Tồn kho:
13,489
Có thể Giao hàng Ngay
Đang đặt hàng:
9,600
Dự kiến 13/08/2026
Thời gian sản xuất của nhà máy:
26
Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:
Đóng gói:
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 800)

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
Cut Tape / MouseReel™
$2.04 $2.04
$1.25 $12.50
$0.883 $88.30
$0.881 $440.50
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 800)
$0.567 $453.60
$0.54 $1,296.00
24,800 Báo giá
† $7.00 Phí MouserReel™ sẽ được thêm và tính vào giỏ hàng của bạn. Không thể hủy và gửi trả tất cả đơn hàng MouseReel™.

Bao bì thay thế

Nsx Mã Phụ tùng:
Đóng gói:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Sẵn có:
Có hàng
Giá:
$2.15
Tối thiểu:
1

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
Infineon
Danh mục Sản phẩm: MOSFET
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
100 V
33 A
44 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
47.3 nC
- 55 C
+ 175 C
3.8 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Nhãn hiệu: Infineon Technologies
Cấu hình: Single
Loại sản phẩm: MOSFETs
Số lượng Kiện Gốc: 800
Danh mục phụ: Transistors
Loại transistor: 1 N-Channel
Đơn vị Khối lượng: 4 g
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

IRF540N/Z Advanced HEXFET® Power MOSFETs

Infineon IRF540N/Z Advanced HEXFET® Power MOSFETs utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed, ruggedized device design, and 175°C junction operating temperature that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.