Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Bạn gặp lỗi?

ISC104N12LM6ATMA1

Name: Infineon ISC104N12LM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISC104N12LM6ATMA
Price: 1.8 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

726-ISC104N12LM6ATMA

Số nhà sản xuất:

ISC104N12LM6ATMA1

Nsx:

Infineon Technologies

Mô tả:

MOSFETs IFX FET >100-150V

Bảng dữ liệu:

ISC104N12LM6ATMA1 Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về Infineon Technologies ISC104N12LM6ATMA1

Có hàng: 11,872

Tồn kho:: 11,872 Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 20 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$1.80	$1.80
	$1.34	$13.40
	$1.05	$105.00
	$0.892	$446.00
	$0.853	$853.00
	$0.851	$2,127.50
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 5000)
	$0.765	$3,825.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	Infineon
Danh mục Sản phẩm:	MOSFET
RoHS:
Công nghệ:	Si
Kiểu gắn:	SMD/SMT
Đóng gói / Vỏ bọc:	TDSON-8
Cực tính transistor:	N-Channel
Số lượng kênh:	1 Channel
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn:	120 V
Id - Dòng cực máng liên tục:	63 A
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn:	10.4 mOhms
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn:	2.2 V
Qg - Điện tích cực cổng:	10.4 nC
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 55 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 175 C
Pd - Tiêu tán nguồn:	94 W
Chế độ kênh:	Enhancement
Thương hiệu:	OptiMOS
Đóng gói:	Reel
Đóng gói:	Cut Tape
Nhãn hiệu:	Infineon Technologies
Cấu hình:	Single
Thời gian giảm:	4 ns
Độ hỗ dẫn thuận - Tối thiểu:	30 S
Loại sản phẩm:	MOSFETs
Thời gian tăng:	2.5 ns
Số lượng Kiện Gốc:	5000
Danh mục phụ:	Transistors
Thời gian trễ khi tắt điển hình:	14 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình:	6 ns
Mã Bí danh:	ISC104N12LM6 SP005586043

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

ISC104N12LM6ATMA1 Bảng dữ liệu (PDF)

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET công suất OptiMOS™ 6

Nguồn OptiMOS™ 6 MOSFETs của Infineon Technologies đem lại hiệu suất tốt nhất, đổi mới hiện đại và thế hệ mới. Dòng OptiMOS 6 sử dụng công nghệ mảnh đem lại hiệu suất cao đáng kể. So với các sản phẩm thay thế, các Nguồn OptiMOS 6 MOSFETs nguồn giảm R_DS(ON) 30% và tối ưu cho chỉnh lưu đồng bộ.

MOSFET N-channel OptiMOS™3

OptiMOS™ 3 N-kênh MOSFETs của Infineon Technologies có trở kháng thấp trong gói không chì SuperSO8. OptiMOS 3 MOSFETs tăng mật độ nguồn đến 50% trong các ứng dụng công nghiệp, hàng tiêu dùng và viễn thông. OptiMOS™ 3 có loại N-kênh MOSFETs 40V, 60V và 80V trong gói SuperSO8 và Shrink SuperSO8 (S3O8). So với gói Sơ đồ chân transitor (TO) tiêu chuẩn, SuperSO8 sẽ tăng mật độ nguồn thêm tối đa 50%.