Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Quay lại Kết quả Tìm kiếm

Bạn gặp lỗi?

IXSA40N65L2-7TR

Name: IXYS IXSA40N65L2-7TR
Brand: IXYS
SKU: 747-IXSA40N65L2-7TR
Price: 7.36 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

747-IXSA40N65L2-7TR

Số nhà sản xuất:

IXSA40N65L2-7TR

Nsx:

IXYS

Mô tả:

SiC MOSFETs SiC MOSFET in TO263-7L

Tuổi thọ:

Sản phẩm Mới:

Mới từ nhà sản xuất này.

Bảng dữ liệu:

IXSA40N65L2-7TR Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về IXYS IXSA40N65L2-7TR

Có hàng: 900

Tồn kho:: 900 Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 27 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Đóng gói:

Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 800)

ĐOẠN NGẮN

MouseReel™ (+$7.00)

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	$7.36	$7.36
	$5.20	$52.00
	$4.33	$433.00
	$3.86	$1,930.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 800)
	$3.43	$2,744.00

† $7.00 Phí MouserReel™ sẽ được thêm và tính vào giỏ hàng của bạn. Không thể hủy và gửi trả tất cả đơn hàng MouseReel™. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	IXYS
Danh mục Sản phẩm:	MOSFET SiC
RoHS:
Kiểu gắn:	SMD/SMT
Đóng gói / Vỏ bọc:	TO-263-7
Cực tính transistor:	N-Channel
Số lượng kênh:	1 Channel
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn:	650 V
Id - Dòng cực máng liên tục:	43 A
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn:	78 mOhms
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn:	- 5 V, 20 V
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn:	4.5 V
Qg - Điện tích cực cổng:	64 nC
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 55 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 175 C
Pd - Tiêu tán nguồn:	174 W
Chế độ kênh:	Enhancement
Nhãn hiệu:	IXYS
Cấu hình:	Single
Thời gian giảm:	9.2 ns
Đóng gói:	Reel
Đóng gói:	Cut Tape
Đóng gói:	MouseReel
Sản phẩm:	SiC MOSFETS
Loại sản phẩm:	SiC MOSFETS
Thời gian tăng:	11.2 ns
Sê-ri:	IXSxNxL2Kx
Số lượng Kiện Gốc:	800
Danh mục phụ:	Transistors
Công nghệ:	SiC
Loại transistor:	1 N-Channel
Thời gian trễ khi tắt điển hình:	13.1 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình:	5 ns

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

IXSA40N65L2-7TR Bảng dữ liệu (PDF)

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

IXYS IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs have high blocking voltage with low on-state resistance [R_DS(ON)]. The on-state resistance is between 25mΩ and 160mΩ, and the continuous drain current (I_D) is between 20A and 111A. These devices offer high-speed switching with low capacitance and have an ultra-fast intrinsic body diode. These are available with a 650V or 1200V drain-source voltage (V_DSS) rating. The IXYS IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are offered in three packages (TO-263-7L, TOLL-8, and TO-247-4L).