IXSA65N120L2-7TR

IXYS
747-IXSA65N120L2-7TR
IXSA65N120L2-7TR

Nsx:

Mô tả:
SiC MOSFETs 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO-263-7L

Tuổi thọ:
Sản phẩm Mới:
Mới từ nhà sản xuất này.
Bảng dữ liệu:
Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.
Thêm Thông tin
Tìm hiểu thêm về IXYS IXSA65N120L2-7TR

Có hàng: 78

Tồn kho:
78
Có thể Giao hàng Ngay
Đang đặt hàng:
800
Dự kiến 02/06/2026
Thời gian sản xuất của nhà máy:
27
Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:
Đóng gói:
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 800)

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
Cut Tape / MouseReel™ †
$10.01 $10.01
$7.40 $74.00
$5.50 $550.00
$4.49 $2,245.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 800)
$4.48 $3,584.00
† $7.00 Phí MouserReel™ sẽ được thêm và tính vào giỏ hàng của bạn. Không thể hủy và gửi trả tất cả đơn hàng MouseReel™. ↩

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
IXYS
Danh mục Sản phẩm: MOSFET SiC
RoHS:  
SMD/SMT
TO-263-7L
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
65 A
53 mOhms
- 5 V, + 20 V
4.5 V
110 nC
- 55 C
+ 175 C
417 W
Enhancement
Nhãn hiệu: IXYS
Cấu hình: Single
Thời gian giảm: 11.6 ns
Đóng gói: Reel
Đóng gói: Cut Tape
Đóng gói: MouseReel
Sản phẩm: MOSFETs
Loại sản phẩm: SiC MOSFETS
Thời gian tăng: 19.6 ns
Số lượng Kiện Gốc: 800
Danh mục phụ: Transistors
Công nghệ: SiC
Loại transistor: 1 N-Channel
Thời gian trễ khi tắt điển hình: 20.8 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình: 11 ns
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Bảng dữ liệu

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

IXYS IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs have high blocking voltage with low on-state resistance [RDS(ON)]. The on-state resistance is between 25mΩ and 160mΩ, and the continuous drain current (ID) is between 20A and 111A. These devices offer high-speed switching with low capacitance and have an ultra-fast intrinsic body diode. These are available with a 650V or 1200V drain-source voltage (VDSS) rating. The IXYS IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are offered in three packages (TO-263-7L, TOLL-8, and TO-247-4L).

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến.


Bạn có câu hỏi? Vui lòng truy cập Trung tâm Trợ giúp.
Để hỏi về một đơn hàng cụ thể, vui lòng đăng nhập vào tài khoản của bạn.

Nếu bạn gặp thêm vấn đề, vui lòng liên hệ với chúng tôi theo số 800-346-6873 hoặc gửi email tới help@mouser.com.