IXTF02N450

IXYS
747-IXTF02N450
IXTF02N450

Nsx:

Mô tả:
MOSFETs 4500V 200mA HV Power MOSFET

Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Sẵn có

Tồn kho:
0

Bạn vẫn có thể mua sản phẩm này bằng đơn hàng dự trữ

Đang đặt hàng:
136
Dự kiến 26/06/2026
300
TBD
Thời gian sản xuất của nhà máy:
57
Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Thời gian giao hàng lâu được báo cáo trên sản phẩm này.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$45.18 $45.18
$35.25 $352.50
$33.50 $3,350.00

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
IXYS
Danh mục Sản phẩm: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
ISOPLUS-i4-PAK-3
N-Channel
1 Channel
4.5 kV
200 mA
625 Ohms
- 20 V, 20 V
4 V
10.6 nC
- 55 C
+ 150 C
78 W
Enhancement
Tube
Nhãn hiệu: IXYS
Cấu hình: Single
Quốc gia Hội nghị: Not Available
Quốc gia phân phối: Not Available
Quốc gia xuất xứ: PH
Thời gian giảm: 143 ns
Độ hỗ dẫn thuận - Tối thiểu: 90 mS
Loại sản phẩm: MOSFETs
Thời gian tăng: 48 ns
Sê-ri: IXTF02N450
Số lượng Kiện Gốc: 25
Danh mục phụ: Transistors
Loại transistor: 1 N-Channel
Thời gian trễ khi tắt điển hình: 28 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình: 17 ns
Đơn vị Khối lượng: 6.500 g
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

High Voltage IEEE 1500V+ Discrete Semiconductors Transistors


4500V High Voltage Power MOSFETs

IXYS 4500V High Voltage Power MOSFETs are the highest voltage Power MOSFET product line in the industry in international standard size packages. The current ratings range from 200mA to 2A. IXYS 4500V High Voltage Power MOSFETs specifically designed to address demanding, fast-switching power conversion applications requiring very high blocking voltages up to 4.5kV.