Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Quay lại Kết quả Tìm kiếm

Bạn gặp lỗi?

IXYH100N65C5

Name: IXYS IXYH100N65C5
Brand: IXYS
SKU: 747-IXYH100N65C5
Price: 12.53 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

747-IXYH100N65C5

Số nhà sản xuất:

IXYH100N65C5

Nsx:

IXYS

Mô tả:

IGBTs 650V, 100A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-247AD

Tuổi thọ:

Sản phẩm Mới:

Mới từ nhà sản xuất này.

Bảng dữ liệu:

IXYH100N65C5 Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về IXYS IXYH100N65C5

Có hàng: 78

Tồn kho:: 78

Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Đang đặt hàng:: 300

Dự kiến 10/08/2026
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 28

Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$12.53	$12.53
	$10.20	$102.00
	$8.49	$1,018.80
	$7.57	$3,860.70
	$6.42	$6,548.40

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	IXYS
Danh mục Sản phẩm:	IGBT
RoHS:
Công nghệ:	Si
Đóng gói / Vỏ bọc:	TO-247-3
Kiểu gắn:	Through Hole
Cấu hình:	Single
Điện áp cực góp-cực phát VCEO tối đa:	650 V
Điện áp bão hòa cực góp-cực phát:	1.68 V
Điện áp cực cổng cực phát tối đa:	20 V
Dòng cực góp liên tục ở 25°C:	230 A
Pd - Tiêu tán nguồn:	750 W
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 55 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 175 C
Sê-ri:	Trench
Đóng gói:	Tube
Nhãn hiệu:	IXYS
IC dòng cực góp liên tục tối đa:	230 A
Dòng rò cực cổng-cực phát:	100 nA
Loại sản phẩm:	IGBT Transistors
Số lượng Kiện Gốc:	30
Danh mục phụ:	IGBTs
Thương hiệu:	XPT

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

IXYH100N65C5 Bảng dữ liệu (PDF)

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

IGBT Gen5 XPT

IXYS Gen5 XPT IGBTs offer a rated voltage of 650V, a current range of 35A to 220A, and a low gate charge. These transistors feature a low thermal resistance that simplifies thermal-related design issues. Gen5 IGBTs are available in three classes. Class A transistors are for low-speed devices and optimized for applications that require switching frequencies in the 0 to 5kHz range, while Class B transistors are for medium-speed devices and optimized for applications that require a frequency range of 5kHz to 30kHz. Finally, the Class C transistors are designed for high-speed devices and are suitable for applications requiring switching frequencies in the range of 20kHz to 60kHz. Applications for IXYS Gen5 XPT IGBTs include power inverters, PFC circuits, lamp ballasts, battery chargers, and welding machines.

AC/DC Power Supply

Littelfuse AC/DC Power Supply is a commonly used building block in electronic designs. The components in these power supply building blocks need to be reliable and long-lasting, and Littelfuse offers a range of products that fit those requirements. This portfolio of components covers overcurrent and overvoltage protection, the power stage, and output protection. Typical applications for Littelfuse AC/DC Power Supply products include automotive, solar, industrial, manufacturing, and more.

Trench 650V to 1200V XPT™ GenX4™ IGBTs

IXYS Trench 650V to 1200V XPT™ GenX4™ IGBTs are developed using a proprietary XPT thin-wafer technology and a state-of-the-art 4th generation (GenX4™) trench IGBT process. These insulated-gate bipolar transistors feature reduced thermal resistance, low energy losses, fast switching, low tail current, and high current densities. The devices exhibit exceptional ruggedness during switching and under short-circuit conditions.

IXYxN120A4 XPT™ GenX4™ IGBTs

IXYS IXYxN120A4 XPT™ GenX4™ IGBTs are the 4th generation Trench IGBTs that feature XPT thin-wafer technology. These ultra-low V_SAT IGBT transistors support switching frequencies up to 5kHz and are optimized for low conduction losses. The IXYxN120A IGBTs offer advantages such as high power density, a low gate drive requirement, and an operating temperature from -55°C to +175°C. These transistors come in TO-247 and TO-269HV packages, each featuring a voltage of 1200V and a current of 55A or 85A. The IXYxN120A IGBTs are used in applications such as power inverters, motor drives, PFC circuits, battery chargers, welding machines, lamp ballasts, and inrush current protector circuits.

Electrical Vehicle DC Fast Chargers

DC charging stations are designed to convert the electrical grid’s AC power into DC power that can then be fed directly into a vehicle’s battery system for fast charging – in 30 minutes or less. Because the conversion from AC to DC power is being done in the charging station, these units can provide higher levels of power (50kW to 350kW and beyond) to the vehicle compared to AC charging stations. Working with tens to hundreds of kilowatts of power, efficient conversion, reliability of the system, and user safety are critical.