MRFE6VP6300HR5

NXP Semiconductors
841-MRFE6VP6300HR5
MRFE6VP6300HR5

Nsx:

Mô tả:
RF MOSFET Transistors VHV6 300W50VISM NI780H-4

Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Có hàng: 527

Tồn kho:
527 Có thể Giao hàng Ngay
Thời gian sản xuất của nhà máy:
16 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:
Đóng gói:
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 50)

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
Cut Tape / MouseReel™
$377.57 $377.57
$314.14 $3,141.40
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 50)
$314.14 $15,707.00
100 Báo giá
† $7.00 Phí MouserReel™ sẽ được thêm và tính vào giỏ hàng của bạn. Không thể hủy và gửi trả tất cả đơn hàng MouseReel™.

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
NXP
Danh mục Sản phẩm: Transistor MOSFET RF
RoHS:  
N-Channel
Si
130 V
1.8 MHz to 600 MHz
26.5 dB
300 W
+ 150 C
Screw Mount
NI-780-4
Reel
Cut Tape
MouseReel
Nhãn hiệu: NXP Semiconductors
Số lượng kênh: 2 Channel
Pd - Tiêu tán nguồn: 1.05 kW
Loại sản phẩm: RF MOSFET Transistors
Sê-ri: MRFE6VP6300H
Số lượng Kiện Gốc: 50
Danh mục phụ: MOSFETs
Loại: RF Power MOSFET
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn: + 10 V
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn: 2.7 V
Mã Bí danh: 935317343178
Đơn vị Khối lượng: 6.396 g
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MRFE6VPx Lateral N-Ch Broadband RF Power MOSFETs

NXP's MRFE6VPx Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFETs are designed for use in high VSWR industrial (including laser and plasma exciters), broadcast (analog and digital), aerospace, and radio/land-mobile applications. They are unmatched input and output designs allowing wide frequency range utilization, between 1.8 and 600MHz. They can be used single-ended or in a push-pull configuration and are suitable for linear applications with appropriate biasing. These RF MOSFETs are capable of handling a load mismatch of 65:1 VSWR, a 50VDC, 230MHz at all phase angles.