MURTA40060R

Name: Navitas Semiconductor MURTA40060R
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 905-MURTA40060R
Price: 140.61 USD
Availability: OutOfStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

905-MURTA40060R

Số nhà sản xuất:

MURTA40060R

Nsx:

GeneSiC Semiconductor

Mô tả:

Diode Modules 600V 400A Si Super Fast Recovery

Bảng dữ liệu:

MURTA40060R Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Sẵn có

Tồn kho:: Không Lưu kho

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 10 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 24 Nhiều: 24

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$140.61	$3,374.64

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	Navitas Semiconductor
Danh mục Sản phẩm:	Mô-đun đi-ốt
RoHS:
Kiểu gắn:	Screw Mount
Đóng gói / Vỏ bọc:	Three Tower Iso
Vr - Điện áp ngược:	600 V
If - Dòng thuận:	400 A
Loại:	Super Fast Recovery
Cấu hình:	Dual-Common Anode
Ff - Điện áp thuận:	1.7 V
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 55 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 150 C
Đóng gói:	Bulk
Nhãn hiệu:	GeneSiC Semiconductor
Loại sản phẩm:	Diode Modules
Số lượng Kiện Gốc:	24
Danh mục phụ:	Discrete and Power Modules
Công nghệ:	Si

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

MURTA40060R Bảng dữ liệu (PDF)

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

USHTS:: 8541100080
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

MURT400x Silicon Super Fast Recovery Diodes

GeneSiC Semiconductor MURT400x silicon super fast recovery diodes provide high surge capability and repetitive peak reverse voltage of up to 600V. GeneSiC MURT400x silicon super fast recovery diodes come in a three tower package and feature continuous forward current of 400A. These GeneSiC Semiconductor silicon super fast recovery diodes provide an operating temperature of -40ºC to +175°C.