MWT-LN300

CML Micro
938-MWT-LN300
MWT-LN300

Nsx:

Mô tả:
RF MOSFET Transistors Low Noise pHEMT Devices

Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Có hàng: 50

Tồn kho:
50 Có thể Giao hàng Ngay
Số lượng lớn hơn 50 sẽ phải tuân thủ các yêu cầu đặt hàng tối thiểu.
Tối thiểu: 10   Nhiều: 10
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 10)
$33.61 $336.10
$29.74 $2,974.00

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
CML Micro
Danh mục Sản phẩm: Transistor MOSFET RF
GaAs
120 mA
4 V
26 GHz
10 dB, 13 dB
16 dBm
+ 150 C
Die
Reel
Nhãn hiệu: CML Micro
Độ hỗ dẫn thuận - Tối thiểu: 160 mS
Pd - Tiêu tán nguồn: 300 mW
Loại sản phẩm: RF MOSFET Transistors
Sê-ri: MWT
Số lượng Kiện Gốc: 10
Danh mục phụ: MOSFETs
Thương hiệu: MWT-LN300
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
854121000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99

GaAs FET & pHEMT Devices

MicroWave Technology GaAs FET and pHEMT Devices are ultra-linear, high-dynamic range, and low-phase noise devices that include commercial, industrial, military, and space-grade variants. The GaAs process employed by MicroWave Technology is approved for space applications with proven reliability. These devices come with standard and custom device specifications with high-rel and space-rel screening options availability. The GaAs FET and pHEMT devices are RoHS (lead-free) compliant and offer 100% wafer bond pull, die shear, wafer DC burn-in, and bake tests in evaluation per MIL-PRF-38534. These devices are typically suitable for oscillators, narrow-band, wideband applications, space, and military applications.