Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Quay lại Kết quả Tìm kiếm

Bạn gặp lỗi?

QH8KC6TCR

Name: ROHM Semiconductor QH8KC6TCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-QH8KC6TCR
Price: 1.74 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

755-QH8KC6TCR

Số nhà sản xuất:

QH8KC6TCR

Nsx:

ROHM Semiconductor

Mô tả:

MOSFETs TSMT8 2NCH 60V 5.5A

Bảng dữ liệu:

QH8KC6TCR Bảng dữ liệu

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về ROHM Semiconductor QH8KC6TCR

Có hàng: 4,404

Tồn kho:: 4,404 Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 16 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$1.74	$1.74
	$1.11	$11.10
	$0.742	$74.20
	$0.586	$293.00
	$0.535	$535.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 3000)
	$0.45	$1,350.00
	$0.439	$2,634.00
	$0.433	$3,897.00
	$0.423	$10,152.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	ROHM Semiconductor
Danh mục Sản phẩm:	MOSFET
RoHS:
Công nghệ:	Si
Kiểu gắn:	SMD/SMT
Đóng gói / Vỏ bọc:	TSMT-8
Cực tính transistor:	N-Channel
Số lượng kênh:	2 Channel
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn:	60 V
Id - Dòng cực máng liên tục:	5.5 A
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn:	30 mOhms
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn:	2.5 V
Qg - Điện tích cực cổng:	7.6 nC
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 55 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 150 C
Pd - Tiêu tán nguồn:	1.5 W
Chế độ kênh:	Enhancement
Đóng gói:	Reel
Đóng gói:	Cut Tape
Nhãn hiệu:	ROHM Semiconductor
Cấu hình:	Dual
Thời gian giảm:	4.4 ns
Độ hỗ dẫn thuận - Tối thiểu:	3.1 S
Loại sản phẩm:	MOSFETs
Thời gian tăng:	5.6 ns
Số lượng Kiện Gốc:	3000
Danh mục phụ:	Transistors
Loại transistor:	2 N-Channel
Thời gian trễ khi tắt điển hình:	21 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình:	8.7 ns
Mã Bí danh:	QH8KC6

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

QH8KC6TCR Bảng dữ liệu

Specification Sheets

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Silicon Power MOSFETs

ROHM Semiconductor Silicon Power MOSFETs feature ultra-fast switching speeds and low on-resistance. These MOSFETs are available in a wide lineup of packages, including the miniature 0604 size to save space in various designs.

QH8K Dual Nch+Nch Small Signal MOSFETs

ROHM Semiconductor QH8K Dual Nch+Nch Small Signal MOSFETs support 40V, 60V, or 100V withstand voltages. This series is designed for 24V input equipment such as factory automation equipment, and motors mounted on base stations (cooling fans). The QH8K devices consist of a low on-resistance Nch MOSFET, which is reduced by 58% compared to conventional ROHM products. This results in low power consumption of components. These MOSFETs come in a small, surface-mount TSMT8 package with eight terminals and Pb-free plating. ROHM Semiconductor QH8K Dual Nch+Nch Small Signal MOSFETs are ideal for switching and motor drive applications.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.