RF3L05150CB4

STMicroelectronics
511-RF3L05150CB4
RF3L05150CB4

Nsx:

Mô tả:
RF MOSFET Transistors 150 W, 28/32 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor
Hoàn tất Thiết kế của bạn

Bảng dữ liệu:
Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.
Thêm Thông tin
Tìm hiểu thêm về STMicroelectronics RF3L05150CB4

Sẵn có

Tồn kho:
Không Lưu kho
Thời gian sản xuất của nhà máy:
Thời gian giao hàng lâu được báo cáo trên sản phẩm này.
Tối thiểu: 100   Nhiều: 100
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 100)
$155.58 $15,558.00

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
STMicroelectronics
Danh mục Sản phẩm: Transistor MOSFET RF
RoHS:  
N-Channel
Si
2.5 A
28 V
1 Ohms
945 MHz
16 dB
150 W
+ 200 C
Through Hole
LBB-4
Reel
Nhãn hiệu: STMicroelectronics
Số lượng kênh: 1 Channel
Loại sản phẩm: RF MOSFET Transistors
Số lượng Kiện Gốc: 100
Danh mục phụ: MOSFETs
Loại: RF Power MOSFET
Đơn vị Khối lượng: 2.400 g
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Bảng dữ liệu

USHTS:
8541290055
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

RF3L05150CB4 RF Power LDMOS Transistor

STMicroelectronics RF3L05150CB4 RF Power LDMOS Transistor is a 150W, 28/32V LDMOS FET designed for wide-band communication and ISM applications. The STM RF3L05150CB4 LDMOS Transistor is designed for applications with frequencies from HF to 1GHz. The RF3L05150CB4 can be used in class AB, B, or C for all typical modulation formats.

LET RF Power Transistors

STMicroelectronics LET RF Power Transistors are a common source N-Channel enhancement-mode lateral field-effect RF power transistor. These transistors are based on the new advanced STH5P LDMOS technology and are targeted for operation up to 2.0GHz. STMicroelectronics LET RF Power Transistors are specifically designed for 28V (cellular base stations) and 32/36V (avionics) applications. These devices have a significant improvement in terms of RF performance (+3dB gain, +15% efficiency), ruggedness, and reliability makes this new product line ideal in applications such as private mobile radio, government communications, avionics systems, and L-band satellite uplink equipment.

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến.


Bạn có câu hỏi? Vui lòng truy cập Trung tâm Trợ giúp.
Để hỏi về một đơn hàng cụ thể, vui lòng đăng nhập vào tài khoản của bạn.

Nếu bạn gặp thêm vấn đề, vui lòng liên hệ với chúng tôi theo số 800-346-6873 hoặc gửi email tới help@mouser.com.