Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Quay lại Kết quả Tìm kiếm

Bạn gặp lỗi?

RGS80TSX2DGC11

Name: ROHM Semiconductor RGS80TSX2DGC11
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RGS80TSX2DGC11
Price: 13.12 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

755-RGS80TSX2DGC11

Số nhà sản xuất:

RGS80TSX2DGC11

Nsx:

ROHM Semiconductor

Mô tả:

IGBTs 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 40A, FRD Built-in, Field Stop Trench IGBT

Bảng dữ liệu:

RGS80TSX2DGC11 Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về ROHM Semiconductor RGS80TSX2DGC11

Có hàng: 849

Tồn kho:: 849 Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 22 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$13.12	$13.12
	$7.58	$75.80
	$6.81	$681.00
	$6.80	$3,060.00
	$6.59	$5,931.00
2,700	Báo giá

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	ROHM Semiconductor
Danh mục Sản phẩm:	IGBT
RoHS:
REACH - SVHC:
Công nghệ:	Si
Đóng gói / Vỏ bọc:	TO-247N-3
Kiểu gắn:	Through Hole
Cấu hình:	Single
Điện áp cực góp-cực phát VCEO tối đa:	1.2 kV
Điện áp bão hòa cực góp-cực phát:	2.1 V
Điện áp cực cổng cực phát tối đa:	30 V
Dòng cực góp liên tục ở 25°C:	80 A
Pd - Tiêu tán nguồn:	555 W
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 40 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 175 C
Đóng gói:	Tube
Nhãn hiệu:	ROHM Semiconductor
Dòng rò cực cổng-cực phát:	500 nA
Loại sản phẩm:	IGBT Transistors
Số lượng Kiện Gốc:	450
Danh mục phụ:	IGBTs
Mã Bí danh:	RGS80TSX2D

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

RGS80TSX2DGC11 Bảng dữ liệu (PDF)

PCN

Product Change Notification 2024-10-15 (PDF)

Specification Sheets

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

RGSx0TSX2x Field Stop Trench IGBTs

ROHM Semiconductor RGSx0TSX2x Field Stop Trench IGBTs are 10µs SCSOA (Short Circuit Safety Operating Area) guaranteed Insulated Gate Bipolar Transistors, suitable for general inverter, UPS, PV inverters, and power conditioner applications. The RGSx0TSX2x IGBTs offer low conduction loss that contributes to reduced size and improved efficiency. These devices utilize original trench-gate and thin-wafer technologies. These technologies help achieve low collector-emitter saturation voltage (V_CE(sat)) with reduced switching losses. These IGBTs provide increased energy savings in a variety of high voltage and high current applications.