RGSX5TS65EGC11

ROHM Semiconductor
755-RGSX5TS65EGC11
RGSX5TS65EGC11

Nsx:

Mô tả:
IGBTs 8s Short-Circuit Tolerance, 650V 75A, FRD Built-in, Field Stop Trench IGBT

Tuổi thọ:
NRND:
Không khuyến khích cho thiết kế mới.
Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Có hàng: 438

Tồn kho:
438 Có thể Giao hàng Ngay
Thời gian sản xuất của nhà máy:
22 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Số lượng lớn hơn 438 sẽ phải tuân thủ các yêu cầu đặt hàng tối thiểu.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$5.55 $5.55

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
ROHM Semiconductor
Danh mục Sản phẩm: IGBT
RoHS:  
Si
TO-247N-3
Through Hole
Single
650 V
2.15 V
30 V
114 A
404 W
- 40 C
+ 175 C
Tube
Nhãn hiệu: ROHM Semiconductor
Quốc gia Hội nghị: Not Available
Quốc gia phân phối: Not Available
Quốc gia xuất xứ: TH
Dòng rò cực cổng-cực phát: 200 nA
Loại sản phẩm: IGBT Transistors
Số lượng Kiện Gốc: 450
Danh mục phụ: IGBTs
Mã Bí danh: RGSX5TS65E
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

RGSX5TS65 650V 75A Field Stop Trench IGBTs

ROHM Semiconductor RGSX5TS65 650V 75A Field Stop Trench IGBTs feature a low collector-emitter saturation voltage. The RGSX5TS65 has a short circuit withstand time of 8μs. It's qualified to AEC-Q101 and has Pb-free lead plating.