Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Quay lại Kết quả Tìm kiếm

Bạn gặp lỗi?

RQ3G120BJFRATCB

Name: ROHM Semiconductor RQ3G120BJFRATCB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RQ3G120BJFRATCB
Price: 1.57 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

755-RQ3G120BJFRATCB

Số nhà sản xuất:

RQ3G120BJFRATCB

Nsx:

ROHM Semiconductor

Mô tả:

MOSFETs Pch -40V -12A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive

Tuổi thọ:

Sản phẩm Mới:

Mới từ nhà sản xuất này.

Bảng dữ liệu:

RQ3G120BJFRATCB Bảng dữ liệu

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về ROHM Semiconductor RQ3G120BJFRATCB

Có hàng: 2,992

Tồn kho:: 2,992 Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 16 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$1.57	$1.57
	$0.994	$9.94
	$0.663	$66.30
	$0.543	$271.50
	$0.534	$534.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 3000)
	$0.453	$1,359.00
	$0.45	$2,700.00
	$0.433	$3,897.00
	$0.43	$10,320.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	ROHM Semiconductor
Danh mục Sản phẩm:	MOSFET
RoHS:
Công nghệ:	Si
Kiểu gắn:	SMD/SMT
Đóng gói / Vỏ bọc:	HSMT-8
Cực tính transistor:	P-Channel
Số lượng kênh:	1 Channel
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn:	40 V
Id - Dòng cực máng liên tục:	12 A
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn:	48 mOhms
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn:	- 20 V, 5 V
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn:	2.5 V
Qg - Điện tích cực cổng:	15.5 nC
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 55 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 150 C
Pd - Tiêu tán nguồn:	40 W
Chế độ kênh:	Enhancement
Đóng gói:	Reel
Đóng gói:	Cut Tape
Nhãn hiệu:	ROHM Semiconductor
Cấu hình:	Single
Thời gian giảm:	9.8 ns
Độ hỗ dẫn thuận - Tối thiểu:	6.5 S
Loại sản phẩm:	MOSFETs
Thời gian tăng:	4.7 ns
Số lượng Kiện Gốc:	3000
Danh mục phụ:	Transistors
Loại transistor:	1 P-Channel
Thời gian trễ khi tắt điển hình:	36 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình:	6.7 ns

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

RQ3G120BJFRATCB Bảng dữ liệu

Specification Sheets

Datasheet - Chinese (English language)

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

MOSFET nguồn RQ3xFRATCB

MOSFET nguồn RQ3xFRATCB của ROHM Semiconductor là MOSFET cấp công nghiệp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. Các MOSFET này có khoảng điện áp cực máng-cực nguồn -40V đến 100V, 8 đầu nối, tiêu tán công suất lên tới 69W và dòng cực máng liên tục ±12A đến ±27A. MOSFET nguồn RQ3xFRATCB có mặt ở cả kênh N và kênh P. Các MOSFET nguồn này nằm trong gói HSMT8AG 3,3 mm x 3,3 mm nhỏ. MOSFET nguồn RQ3xFRATCB phù hợp với Hệ thống hỗ trợ lái xe tiên tiến (ADAS), thông tin giải trí, chiếu sáng và thân xe.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.