Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Quay lại Kết quả Tìm kiếm

Bạn gặp lỗi?

SCS206AGC17

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

755-SCS206AGC17

Số nhà sản xuất:

SCS206AGC17

Nsx:

ROHM Semiconductor

Mô tả:

SiC Schottky Diodes SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 6A, 2nd Gen

Tuổi thọ:

NRND:

Không khuyến khích cho thiết kế mới.

Bảng dữ liệu:

SCS206AGC17 Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về ROHM Semiconductor SCS206AGC17

Sẵn có

Tồn kho:: Không Có sẵn

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.

Giá (USD)

Yêu cầu Báo giá

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	ROHM Semiconductor
Danh mục Sản phẩm:	Đi-ốt SiC SCHOTTKY
RoHS:
Kiểu gắn:	Through Hole
Đóng gói / Vỏ bọc:	TO-220ACG-2
Cấu hình:	Single
If - Dòng thuận:	6 A
Vrrm - Điện áp ngược lặp lại:	650 V
Ff - Điện áp thuận:	1.55 V
Ifsm - Dòng tăng thuận:	23 A
Ir - Dòng ngược:	120 uA
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 175 C
Đóng gói:	Tube
Nhãn hiệu:	ROHM Semiconductor
Pd - Tiêu tán nguồn:	51 W
Loại sản phẩm:	SiC Schottky Diodes
Số lượng Kiện Gốc:	1000
Danh mục phụ:	Diodes & Rectifiers
Vr - Điện áp ngược:	650 V
Mã Bí danh:	SCS206AG

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

SCS206AGC17 Bảng dữ liệu (PDF)

Specification Sheets

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

USHTS:: 8541100080
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

Silicon Carbide (SiC) Power Devices

ROHM Semiconductor SiC Power Devices deliver 10x the dielectric breakdown field strength, 3x the bandgap, and 3x the thermal conductivity of conventional silicon solutions. This translates to lower switching loss, lower ON resistance, and support for high-temperature operation, making it possible to minimize power loss along with module size. ROHM SiC Power Devices also allow designers to use fewer components, further reducing design complexity.

TO-220ACG SiC Schottky Barrier Diodes

ROHM Semiconductor TO-220ACG Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes (SBD) feature a reverse voltage range of 650V to 1200V and a continuous reverse current range of 1.2µA to 20.0µA. SiC technology enables these devices to maintain a low capacitive charge (Q_C), reducing switching loss while enabling high-speed switching operation. In addition, unlike Si-based fast-recovery diodes, where the reverse recovery time increases along with temperature, SiC devices maintain constant characteristics, resulting in better performance.