SCS210KGC17

ROHM Semiconductor
755-SCS210KGC17
SCS210KGC17

Nsx:

Mô tả:
SiC Schottky Diodes RECT 1.2KV 10A RDL SIC SKY

Bảng dữ liệu:
Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.
Thêm Thông tin
Tìm hiểu thêm về ROHM Semiconductor SCS210KGC17

Có hàng: 752

Tồn kho:
752 Có thể Giao hàng Ngay
Thời gian sản xuất của nhà máy:
21 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$9.40 $9.40
$5.19 $51.90
$4.78 $478.00
$4.41 $4,410.00

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
ROHM Semiconductor
Danh mục Sản phẩm: Đi-ốt SiC SCHOTTKY
RoHS:  
Through Hole
TO-220ACG-2
Single
10 A
1.2 kV
1.6 V
42 A
200 uA
+ 175 C
Tube
Nhãn hiệu: ROHM Semiconductor
Pd - Tiêu tán nguồn: 150 W
Loại sản phẩm: SiC Schottky Diodes
Số lượng Kiện Gốc: 1000
Danh mục phụ: Diodes & Rectifiers
Vr - Điện áp ngược: 1.2 kV
Mã Bí danh: SCS210KG
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Bảng dữ liệu

Specification Sheets

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99

TO-220ACG SiC Schottky Barrier Diodes

ROHM Semiconductor TO-220ACG Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes (SBD) feature a reverse voltage range of 650V to 1200V and a continuous reverse current range of 1.2µA to 20.0µA. SiC technology enables these devices to maintain a low capacitive charge (QC), reducing switching loss while enabling high-speed switching operation. In addition, unlike Si-based fast-recovery diodes, where the reverse recovery time increases along with temperature, SiC devices maintain constant characteristics, resulting in better performance.

Silicon Carbide (SiC) Power Devices

ROHM Semiconductor SiC Power Devices deliver 10x the dielectric breakdown field strength, 3x the bandgap, and 3x the thermal conductivity of conventional silicon solutions. This translates to lower switching loss, lower ON resistance, and support for high-temperature operation, making it possible to minimize power loss along with module size. ROHM SiC Power Devices also allow designers to use fewer components, further reducing design complexity.

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến.


Bạn có câu hỏi? Vui lòng truy cập Trung tâm Trợ giúp.
Để hỏi về một đơn hàng cụ thể, vui lòng đăng nhập vào tài khoản của bạn.

Nếu bạn gặp thêm vấn đề, vui lòng liên hệ với chúng tôi theo số 800-346-6873 hoặc gửi email tới help@mouser.com.