SCS220AE2HRC11

ROHM Semiconductor
755-SCS220AE2HRC11
SCS220AE2HRC11

Nsx:

Mô tả:
SiC Schottky Diodes AECQ

Bảng dữ liệu:
Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.
Thêm Thông tin
Tìm hiểu thêm về ROHM Semiconductor SCS220AE2HRC11

Có hàng: 1,924

Tồn kho:
1,924 Có thể Giao hàng Ngay
Thời gian sản xuất của nhà máy:
21 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$9.99 $9.99
$5.88 $58.80
$5.24 $524.00
$5.03 $2,263.50
2,700 Báo giá

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
ROHM Semiconductor
Danh mục Sản phẩm: Đi-ốt SiC SCHOTTKY
RoHS:  
Through Hole
TO-247N-3
Dual
20 A
650 V
1.55 V
76 A
200 uA
+ 175 C
AEC-Q101
Tube
Nhãn hiệu: ROHM Semiconductor
Pd - Tiêu tán nguồn: 160 W
Loại sản phẩm: SiC Schottky Diodes
Số lượng Kiện Gốc: 450
Danh mục phụ: Diodes & Rectifiers
Vr - Điện áp ngược: 650 V
Mã Bí danh: SCS220AE2HR
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Bảng dữ liệu

Specification Sheets

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CNHTS:
8541100000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
JPHTS:
854110090
KRHTS:
8541109000
TARIC:
8541100000
MXHTS:
8541100199
BRHTS:
85411099
ECCN:
EAR99

AEC-Q101 SiC Schottky Barrier Diodes

ROHM Semiconductor AEC-Q101 SiC Schottky Barrier Diodes deliver breakdown voltages from 600V, far exceeding the upper limit for silicon SBDs. The AEC-Q101 Diodes utilize SiC, making them ideal for PFC circuits and inverters. Additionally, high-speed switching is enabled with ultra-small reverse recovery time. This minimizes both reverse recovery charge and switching loss, contributing to end-product miniaturization. ROHM AEC-Q101 SiC Schottky Barrier Diodes offer a reverse voltage range of 650V to 1200V, a continuous forward current range of 1.2µA to 260µA, and a total power dissipation range between 48W to 280W. The devices are available in TO-247 and TO-263 packages, with a max temperature of +175°C.

Silicon Carbide (SiC) Power Devices

ROHM Semiconductor SiC Power Devices deliver 10x the dielectric breakdown field strength, 3x the bandgap, and 3x the thermal conductivity of conventional silicon solutions. This translates to lower switching loss, lower ON resistance, and support for high-temperature operation, making it possible to minimize power loss along with module size. ROHM SiC Power Devices also allow designers to use fewer components, further reducing design complexity.

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến.


Bạn có câu hỏi? Vui lòng truy cập Trung tâm Trợ giúp.
Để hỏi về một đơn hàng cụ thể, vui lòng đăng nhập vào tài khoản của bạn.

Nếu bạn gặp thêm vấn đề, vui lòng liên hệ với chúng tôi theo số 800-346-6873 hoặc gửi email tới help@mouser.com.