Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Quay lại Kết quả Tìm kiếm

Bạn gặp lỗi?

SCT4036DEC11

Name: ROHM Semiconductor SCT4036DEC11
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT4036DEC11
Price: 13.38 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

755-SCT4036DEC11

Số nhà sản xuất:

SCT4036DEC11

Nsx:

ROHM Semiconductor

Mô tả:

SiC MOSFETs Discrete Semiconductors, SiC Power Devices, 750V, 42A, 3-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET

Tuổi thọ:

Sản phẩm Mới:

Mới từ nhà sản xuất này.

Bảng dữ liệu:

SCT4036DEC11 Bảng dữ liệu

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về ROHM Semiconductor SCT4036DEC11

Có hàng: 450

Tồn kho:: 450 Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 27 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$13.38	$13.38
	$8.12	$81.20
	$6.97	$697.00
	$6.72	$3,024.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	ROHM Semiconductor
Danh mục Sản phẩm:	MOSFET SiC
Kiểu gắn:	Through Hole
Đóng gói / Vỏ bọc:	TO-247N-3
Cực tính transistor:	N-Channel
Số lượng kênh:	1 Channel
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn:	750 V
Id - Dòng cực máng liên tục:	42 A
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn:	47 mOhms
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn:	- 4 V, + 21 V
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn:	4.8 V
Qg - Điện tích cực cổng:	72 nC
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 175 C
Pd - Tiêu tán nguồn:	136 W
Chế độ kênh:	Enhancement
Nhãn hiệu:	ROHM Semiconductor
Cấu hình:	Single
Thời gian giảm:	11 ns
Độ hỗ dẫn thuận - Tối thiểu:	10 S
Đóng gói:	Tube
Sản phẩm:	Power MOSFETs
Loại sản phẩm:	SiC MOSFETS
Thời gian tăng:	22 ns
Số lượng Kiện Gốc:	450
Danh mục phụ:	Transistors
Công nghệ:	SiC
Loại transistor:	1 N-Channel
Loại:	SiC Power MOSFET
Thời gian trễ khi tắt điển hình:	28 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình:	13 ns

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

SCT4036DEC11 Bảng dữ liệu

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

750V N-Channel SiC MOSFETs

ROHM Semiconductor 750V N-Channel SiC MOSFETs can boost switching frequency, thereby decreasing the volume of capacitors, reactors, and other components required. These SiC MOSFETs are available in TO-247N, TOLL, TO-263-7L, TO-263-7LA, and TO-247-4L packages. The devices have static drain-source on-state resistance [R_DS(on)] (typ.) rating from 13mΩ to 65mΩ and continuous drain (I_D) and source current (I_S) (T_C=25°C) of 22A to 120A. These ROHM Semiconductor 750V SiC MOSFETs offer high withstand voltages, low on-resistance, and high-speed switching characteristics, leveraging the unique attributes of SiC technology.