SGT240R70ILB

STMicroelectronics
511-SGT240R70ILB
SGT240R70ILB

Nsx:

Mô tả:
GaN FETs 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor
Hoàn tất Thiết kế của bạn

Tuổi thọ:
Sản phẩm Mới:
Mới từ nhà sản xuất này.
Bảng dữ liệu:
Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.
Thêm Thông tin
Tìm hiểu thêm về STMicroelectronics SGT240R70ILB

Sẵn có

Tồn kho:
Không Lưu kho
Thời gian sản xuất của nhà máy:
52 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến.
Thời gian giao hàng lâu được báo cáo trên sản phẩm này.
Tối thiểu: 3000   Nhiều: 3000
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 3000)
$1.26 $3,780.00
$1.25 $11,250.00
24,000 Báo giá

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
STMicroelectronics
Danh mục Sản phẩm: FET GaN
SMD/SMT
PowerFLAT-8
700 V
10 A
240 mOhms
- 6 V, + 7 V
2.5 V
2 nC
- 55 C
+ 150 C
76 W
Enhancement
Nhãn hiệu: STMicroelectronics
Cấu hình: Single
Quốc gia Hội nghị: Not Available
Quốc gia phân phối: Not Available
Quốc gia xuất xứ: Not Available
Thời gian giảm: 6 ns
Đóng gói: Reel
Sản phẩm: FET
Loại sản phẩm: GaN FETs
Thời gian tăng: 5 ns
Sê-ri: SGT
Số lượng Kiện Gốc: 3000
Danh mục phụ: Transistors
Công nghệ: GaN
Loại: PowerGaN Transistor
Thời gian trễ khi tắt điển hình: 4 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình: 2 ns
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Bảng dữ liệu

PCN

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

SGT G-HEMT™ E-Mode PowerGaN Transistors

STMicroelectronics SGT G-HEMT™ E-Mode PowerGaN Transistors are high‑performance, enhancement‑mode (normally‑off) GaN devices designed to deliver exceptionally fast switching, low conduction losses, and high power density across demanding power‑conversion applications. These transistors leverage Gallium Nitride’s wide‑bandgap advantages to achieve extremely low capacitances, minimal gate charge, and zero reverse‑recovery charge, enabling superior efficiency compared to traditional silicon power switches.

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến.


Bạn có câu hỏi? Vui lòng truy cập Trung tâm Trợ giúp.
Để hỏi về một đơn hàng cụ thể, vui lòng đăng nhập vào tài khoản của bạn.

Nếu bạn gặp thêm vấn đề, vui lòng liên hệ với chúng tôi theo số 800-346-6873 hoặc gửi email tới help@mouser.com.