SGT350R70GTK

STMicroelectronics
511-SGT350R70GTK
SGT350R70GTK

Nsx:

Mô tả:
GaN FETs 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor
Hoàn tất Thiết kế của bạn

Tuổi thọ:
Sản phẩm Mới:
Mới từ nhà sản xuất này.
Bảng dữ liệu:
Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.
Thêm Thông tin
Tìm hiểu thêm về STMicroelectronics SGT350R70GTK

Có hàng: 695

Tồn kho:
695 Có thể Giao hàng Ngay
Thời gian sản xuất của nhà máy:
52 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:
Đóng gói:
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 2500)

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
Cut Tape / MouseReel™ †
$2.60 $2.60
$1.68 $16.80
$1.20 $120.00
$1.01 $505.00
$0.954 $954.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 2500)
$0.816 $2,040.00
$0.81 $4,050.00
$0.789 $7,890.00
† $7.00 Phí MouserReel™ sẽ được thêm và tính vào giỏ hàng của bạn. Không thể hủy và gửi trả tất cả đơn hàng MouseReel™. ↩

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
STMicroelectronics
Danh mục Sản phẩm: FET GaN
RoHS:  
SMD/SMT
DPAK-3
700 V
6 A
350 mOhms
- 1.4 V, + 7 V
2.5 V
1.5 nC
- 55 C
+ 150 C
47 W
Enhancement
Nhãn hiệu: STMicroelectronics
Cấu hình: Single
Quốc gia Hội nghị: CN
Quốc gia phân phối: Not Available
Quốc gia xuất xứ: CN
Thời gian giảm: 6.1 ns
Nhạy với độ ẩm: Yes
Đóng gói: Reel
Đóng gói: Cut Tape
Đóng gói: MouseReel
Sản phẩm: FET
Loại sản phẩm: GaN FETs
Thời gian tăng: 3.5 ns
Sê-ri: SGT
Số lượng Kiện Gốc: 2500
Danh mục phụ: Transistors
Công nghệ: GaN
Loại: PowerGaN Transistor
Thời gian trễ khi tắt điển hình: 1.2 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình: 0.9 ns
Đơn vị Khối lượng: 300 mg
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Bảng dữ liệu

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

SGT350R70GTK E-Mode PowerGaN Transistor

STMicroelectronics SGT350R70GTK E-Mode PowerGaN Transistor is a high-performance enhancement-mode PowerGaN transistor optimized for efficient power conversion in demanding applications. With a drain-source voltage rating of 700V and a maximum on-resistance of 350mΩ, the STMicroelectronics SGT350R70GTK delivers low conduction losses and fast switching capabilities thanks to Gallium Nitride (GaN) technology. Packaged in a thermally enhanced DPAK format, the device supports high current handling and improved heat dissipation, suitable for high-density power designs. A low gate charge and output capacitance enable high-frequency operation, ideal for use in power factor correction (PFC), resonant converters, and other advanced power topologies in industrial, telecom, and consumer electronics sectors.

SGT G-HEMT™ E-Mode PowerGaN Transistors

STMicroelectronics SGT G-HEMT™ E-Mode PowerGaN Transistors are high‑performance, enhancement‑mode (normally‑off) GaN devices designed to deliver exceptionally fast switching, low conduction losses, and high power density across demanding power‑conversion applications. These transistors leverage Gallium Nitride’s wide‑bandgap advantages to achieve extremely low capacitances, minimal gate charge, and zero reverse‑recovery charge, enabling superior efficiency compared to traditional silicon power switches.

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến.


Bạn có câu hỏi? Vui lòng truy cập Trung tâm Trợ giúp.
Để hỏi về một đơn hàng cụ thể, vui lòng đăng nhập vào tài khoản của bạn.

Nếu bạn gặp thêm vấn đề, vui lòng liên hệ với chúng tôi theo số 800-346-6873 hoặc gửi email tới help@mouser.com.