Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Bạn gặp lỗi?

SI7370ADP-T1-GE3

Name: Vishay SI7370ADP-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 781-SI7370ADP-GE3
Price: 0.94 USD
Availability: OutOfStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

781-SI7370ADP-GE3

Số nhà sản xuất:

SI7370ADP-T1-GE3

Nsx:

Vishay / Siliconix

Mô tả:

MOSFETs 60V 15.8A 5.2W 10mohm @ 10V

Bảng dữ liệu:

SI7370ADP-T1-GE3 Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về Vishay / Siliconix SI7370ADP-T1-GE3

Sẵn có

Tồn kho:: Không Lưu kho

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: Yêu cầu Báo giá Giao hàng

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 3000 Nhiều: 3000

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 3000)
	$0.94	$2,820.00
	$0.933	$5,598.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	Vishay
Danh mục Sản phẩm:	MOSFET
RoHS:
Công nghệ:	Si
Kiểu gắn:	SMD/SMT
Đóng gói / Vỏ bọc:	PowerPAK-1212-8
Cực tính transistor:	N-Channel
Số lượng kênh:	1 Channel
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn:	60 V
Id - Dòng cực máng liên tục:	50 A
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn:	57 mOhms
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn:	4 V
Qg - Điện tích cực cổng:	8.4 nC
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 55 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 150 C
Pd - Tiêu tán nguồn:	69.4 W
Chế độ kênh:	Enhancement
Thương hiệu:	TrenchFET
Đóng gói:	Reel
Nhãn hiệu:	Vishay / Siliconix
Cấu hình:	Single
Thời gian giảm:	20 ns
Độ hỗ dẫn thuận - Tối thiểu:	12 S
Loại sản phẩm:	MOSFETs
Thời gian tăng:	9 ns
Sê-ri:	SI7
Số lượng Kiện Gốc:	3000
Danh mục phụ:	Transistors
Loại transistor:	1 N Channel
Thời gian trễ khi tắt điển hình:	40 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình:	20 ns
Mã Bí danh:	SI7370ADP-GE3
Đơn vị Khối lượng:	540 mg

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

SI7370ADP-T1-GE3 Bảng dữ liệu (PDF)

REACH Certificate (PDF)

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

SI73 TrenchFET® Power MOSFETs

Vishay Semiconductors SI73 TrenchFET^® Power MOSFETs are available in a new low thermal resistance PowerPAK^® package with a low 1.07mm profile. The TrenchFET^® Power MOSFETs are 100% R_g/UIS tested and halogen-free. These SI73 power MOSFETs are ideally used in DC/DC converters.