SI8902AEDB-T2-E1

Vishay Semiconductors
78-SI8902AEDB-T2-E1
SI8902AEDB-T2-E1

Nsx:

Mô tả:
MOSFETs 24V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 2.4 x 1.6

Bảng dữ liệu:
Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.
Thêm Thông tin
Tìm hiểu thêm về Vishay Semiconductors SI8902AEDB-T2-E1

Sẵn có

Tồn kho:
Không Lưu kho
Thời gian sản xuất của nhà máy:
Tối thiểu: 6000   Nhiều: 3000
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 3000)
$0.286 $1,716.00

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
Vishay
Danh mục Sản phẩm: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
MicroFoot-6
N-Channel
1 Channel
24 V
11 A
28 mOhms
- 12 V, 12 V
400 mV
- 55 C
+ 150 C
5.7 W
Enhancement
Reel
Nhãn hiệu: Vishay Semiconductors
Cấu hình: Single
Thời gian giảm: 12 us
Độ hỗ dẫn thuận - Tối thiểu: 15 S
Loại sản phẩm: MOSFETs
Thời gian tăng: 3.5 us
Số lượng Kiện Gốc: 3000
Danh mục phụ: Transistors
Loại transistor: 1 N-Channel
Thời gian trễ khi tắt điển hình: 25 us
Thời gian trễ khi bật điển hình: 1.5 us
Đơn vị Khối lượng: 128.380 mg
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

Integrated MOSFETs with Common Drain

Vishay Integrated MOSFETs with Common Drain are 1, 2, and 3-channels offering surface mounting. The Integrated MOSFETs feature N-channel, and N+P-channel options, as well as a breakdown voltage range of 20V to 200V. The Enhancement Mode MOSFETs have 6 or 8-pins, a power dissipation range of 1.5W to 69.4W, and on drain-source resistance of 2.15mΩ to 26mΩ.

Integrated MOSFET Solutions

Vishay Integrated MOSFET Solutions combine components into a single monolithic chip to increase power density and efficiency, simplify design, and reduce Bill of Material (BOM) costs. These single- and multi-die MOSFETs integrate features such as Schottky Barrier diodes and ESD protection. These MOSFETs feature low ON-resistance N- and P-channel TrenchFET® technologies and low thermal resistance. 

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến.


Bạn có câu hỏi? Vui lòng truy cập Trung tâm Trợ giúp.
Để hỏi về một đơn hàng cụ thể, vui lòng đăng nhập vào tài khoản của bạn.

Nếu bạn gặp thêm vấn đề, vui lòng liên hệ với chúng tôi theo số 800-346-6873 hoặc gửi email tới help@mouser.com.