Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Bạn gặp lỗi?

SIDR608EP-T1-RE3

Name: Vishay SIDR608EP-T1-RE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SIDR608EP-T1-RE3
Price: 3.2 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

78-SIDR608EP-T1-RE3

Số nhà sản xuất:

SIDR608EP-T1-RE3

Nsx:

Vishay Semiconductors

Mô tả:

MOSFETs N-CHANNEL 45-V (D-S) 175C MOSFET

Bảng dữ liệu:

SIDR608EP-T1-RE3 Bảng dữ liệu

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về Vishay Semiconductors SIDR608EP-T1-RE3

Có hàng: 11,400

Tồn kho:: 11,400 Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.

Số lượng lớn hơn 11400 sẽ phải tuân thủ các yêu cầu đặt hàng tối thiểu.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Đóng gói:

Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 3000)

ĐOẠN NGẮN

MouseReel™ (+$7.00)

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	$3.20	$3.20
	$2.19	$21.90
	$1.52	$152.00
	$1.31	$655.00
	$1.25	$1,250.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 3000)
	$1.06	$3,180.00

† $7.00 Phí MouserReel™ sẽ được thêm và tính vào giỏ hàng của bạn. Không thể hủy và gửi trả tất cả đơn hàng MouseReel™. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	Vishay
Danh mục Sản phẩm:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Công nghệ:	Si
Kiểu gắn:	SMD/SMT
Đóng gói / Vỏ bọc:	PowerPAK SO-8
Cực tính transistor:	N-Channel
Số lượng kênh:	1 Channel
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn:	40 V
Id - Dòng cực máng liên tục:	228 A
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn:	1.36 mOhms
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn:	- 16 V, 20 V
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn:	2.3 V
Qg - Điện tích cực cổng:	167 nC
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 55 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 175 C
Pd - Tiêu tán nguồn:	125 W
Chế độ kênh:	Enhancement
Đóng gói:	Reel
Đóng gói:	Cut Tape
Đóng gói:	MouseReel
Nhãn hiệu:	Vishay Semiconductors
Cấu hình:	Single
Thời gian giảm:	25 ns
Độ hỗ dẫn thuận - Tối thiểu:	120 S
Loại sản phẩm:	MOSFETs
Thời gian tăng:	86 ns
Sê-ri:	SIDR
Số lượng Kiện Gốc:	3000
Danh mục phụ:	Transistors
Thời gian trễ khi tắt điển hình:	50 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình:	52 ns

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

SIDR608EP-T1-RE3 Bảng dữ liệu

PCN

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

MOSFET 30-45V (D-S) N kênh

MOSFET 30-45V (D-S) N kênh của Vishay là MOSFET nguồn Gen IV TrenchFET® với hệ số chất lượng (FOM) RDS Qg rất thấp. Các thiết bị được điều chỉnh cho RDS - Qoss FOM thấp nhất với tính năng làm mát phía trên, giúp cung cấp một khu vực bổ sung để truyền nhiệt. MOSFET được thử nghiệm 100% Rg và UIS.