SISF04DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors
78-SISF04DN-T1-GE3
SISF04DN-T1-GE3

Nsx:

Mô tả:
MOSFETs N-CHANNEL 30V(S1-S2) PowerPAK 1212-8F

Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Có hàng: 4,011

Tồn kho:
4,011 Có thể Giao hàng Ngay
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:
Đóng gói:
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 3000)

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
Cut Tape / MouseReel™
$2.00 $2.00
$1.27 $12.70
$0.849 $84.90
$0.696 $348.00
$0.609 $609.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 3000)
$0.56 $1,680.00
$0.508 $3,048.00
$0.502 $4,518.00
† $7.00 Phí MouserReel™ sẽ được thêm và tính vào giỏ hàng của bạn. Không thể hủy và gửi trả tất cả đơn hàng MouseReel™.

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
Vishay
Danh mục Sản phẩm: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerPAK-1212-8
N-Channel
2 Channel
30 V
108 A
4 mOhms
- 12 V, 16 V
2.3 V
40 nC
- 55 C
+ 150 C
69.4 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Nhãn hiệu: Vishay Semiconductors
Cấu hình: Dual
Thời gian giảm: 6 ns
Độ hỗ dẫn thuận - Tối thiểu: 115 S
Loại sản phẩm: MOSFETs
Thời gian tăng: 21 ns
Sê-ri: SISF
Số lượng Kiện Gốc: 3000
Danh mục phụ: Transistors
Loại transistor: 2 N-Channel
Thời gian trễ khi tắt điển hình: 30 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình: 12 ns
Đơn vị Khối lượng: 1 g
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

Integrated MOSFETs with Common Drain

Vishay Integrated MOSFETs with Common Drain are 1, 2, and 3-channels offering surface mounting. The Integrated MOSFETs feature N-channel, and N+P-channel options, as well as a breakdown voltage range of 20V to 200V. The Enhancement Mode MOSFETs have 6 or 8-pins, a power dissipation range of 1.5W to 69.4W, and on drain-source resistance of 2.15mΩ to 26mΩ.