Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Bạn gặp lỗi?

SISS70DN-T1-GE3

Name: Vishay SISS70DN-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SISS70DN-T1-GE3
Price: 2.26 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

78-SISS70DN-T1-GE3

Số nhà sản xuất:

SISS70DN-T1-GE3

Nsx:

Vishay Semiconductors

Mô tả:

MOSFETs 125V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S

Bảng dữ liệu:

SISS70DN-T1-GE3 Bảng dữ liệu

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về Vishay Semiconductors SISS70DN-T1-GE3

Có hàng: 5,990

Tồn kho:: 5,990 Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Đóng gói:

Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 3000)

ĐOẠN NGẮN

MouseReel™ (+$7.00)

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	$2.26	$2.26
	$1.42	$14.20
	$0.937	$93.70
	$0.743	$371.50
	$0.66	$660.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 3000)
	$0.603	$1,809.00
	$0.58	$3,480.00
	$0.56	$5,040.00

† $7.00 Phí MouserReel™ sẽ được thêm và tính vào giỏ hàng của bạn. Không thể hủy và gửi trả tất cả đơn hàng MouseReel™. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	Vishay
Danh mục Sản phẩm:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Công nghệ:	Si
Kiểu gắn:	SMD/SMT
Đóng gói / Vỏ bọc:	PowerPAK1212-8
Cực tính transistor:	N-Channel
Số lượng kênh:	1 Channel
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn:	125 V
Id - Dòng cực máng liên tục:	31 A
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn:	29.8 mOhms
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn:	2.5 V
Qg - Điện tích cực cổng:	15.3 nC
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 55 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 150 C
Pd - Tiêu tán nguồn:	65.8 W
Chế độ kênh:	Enhancement
Thương hiệu:	TrenchFET, ThunderFET, PowerPAK
Đóng gói:	Reel
Đóng gói:	Cut Tape
Đóng gói:	MouseReel
Nhãn hiệu:	Vishay Semiconductors
Cấu hình:	Single
Quốc gia Hội nghị:	Not Available
Quốc gia phân phối:	Not Available
Quốc gia xuất xứ:	CN
Thời gian giảm:	10 ns
Độ hỗ dẫn thuận - Tối thiểu:	16 S
Loại sản phẩm:	MOSFETs
Thời gian tăng:	9 ns
Sê-ri:	SISS
Số lượng Kiện Gốc:	3000
Danh mục phụ:	Transistors
Loại transistor:	1 N-Channel
Thời gian trễ khi tắt điển hình:	30 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình:	20 ns
Đơn vị Khối lượng:	1 g

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

SISS70DN-T1-GE3 Bảng dữ liệu

Models

PCN

Product Change Notification (PDF)

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

SISS7xDN TrenchFET MOSFETs

Vishay SISS7xDN-T1-GE3 TrenchFET MOSFETs use TrenchFET^®with ThunderFET technology that optimizes the balance of R_DS, Q_G,Q_SW,and Q_OSS. These MOSFETs are 100% Rg and Unclamped Inductive Switching (UIS) tested. The SISS7xDN TrenchFET MOSFETs find applications in primary side switching, synchronous rectification, DC/DC converters, motor drive control, and load switches. These MOSFETs are available in PowerPAK 1212-8S package.