SQUN702E-T1_GE3

Vishay Semiconductors
78-SQUN702E-T1_GE3
SQUN702E-T1_GE3

Nsx:

Mô tả:
MOSFETs 40-V N- & P-CH COMMON DRAIN + 200-V

Bảng dữ liệu:
Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.
Thêm Thông tin
Tìm hiểu thêm về Vishay Semiconductors SQUN702E-T1_GE3

Sẵn có

Tồn kho:
Không Lưu kho
Thời gian sản xuất của nhà máy:
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:
Đóng gói:
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 2000)

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
Cut Tape / MouseReel™ †
$4.35 $4.35
$3.25 $32.50
$2.83 $283.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 2000)
$2.40 $4,800.00
† $7.00 Phí MouserReel™ sẽ được thêm và tính vào giỏ hàng của bạn. Không thể hủy và gửi trả tất cả đơn hàng MouseReel™. ↩

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
Vishay
Danh mục Sản phẩm: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
Triple die
N-Channel, P-Channel
3 Channel
40 V, 200 V
20 A, 30 A
9.2 mOhms, 30 mOhms, 60 mOhms
- 25 V, 25 V
1.5 V, 2.5 V
14 nC, 23 nC, 30.2 nC
- 55 C
+ 175 C
48 W, 60 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Nhãn hiệu: Vishay Semiconductors
Cấu hình: Triple
Quốc gia Hội nghị: Not Available
Quốc gia phân phối: Not Available
Quốc gia xuất xứ: DE
Thời gian giảm: 2 ns, 10 ns, 19 ns
Độ hỗ dẫn thuận - Tối thiểu: 16 S, 19 S, 65 S
Loại sản phẩm: MOSFETs
Thời gian tăng: 3 ns, 9 ns, 12 ns
Sê-ri: SQUN
Số lượng Kiện Gốc: 2000
Danh mục phụ: Transistors
Loại transistor: 2 N-Channel, 1 P-Channel
Thời gian trễ khi tắt điển hình: 15 ns, 22 ns, 43 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình: 7 ns, 8 ns, 10 ns
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

Integrated MOSFET Solutions

Vishay Integrated MOSFET Solutions combine components into a single monolithic chip to increase power density and efficiency, simplify design, and reduce Bill of Material (BOM) costs. These single- and multi-die MOSFETs integrate features such as Schottky Barrier diodes and ESD protection. These MOSFETs feature low ON-resistance N- and P-channel TrenchFET® technologies and low thermal resistance. 

Integrated MOSFETs with Common Drain

Vishay Integrated MOSFETs with Common Drain are 1, 2, and 3-channels offering surface mounting. The Integrated MOSFETs feature N-channel, and N+P-channel options, as well as a breakdown voltage range of 20V to 200V. The Enhancement Mode MOSFETs have 6 or 8-pins, a power dissipation range of 1.5W to 69.4W, and on drain-source resistance of 2.15mΩ to 26mΩ.

N- & P-Channel Pair Thermally Enhanced MOSFETs

Vishay N- and P-Channel Pair Thermally Enhanced MOSFETs combine the N-channel and P-channel MOSFET pairs into one package. These Vishay N- and P-Channel MOSFETs are designed to minimize the ON-state Resistance (RDS(on)) while maintaining superior switching performance. In addition, combining both the N-channel and P-channel MOSFETs into a single IC saves PCB space and simplifies application design. 

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến.


Bạn có câu hỏi? Vui lòng truy cập Trung tâm Trợ giúp.
Để hỏi về một đơn hàng cụ thể, vui lòng đăng nhập vào tài khoản của bạn.

Nếu bạn gặp thêm vấn đề, vui lòng liên hệ với chúng tôi theo số 800-346-6873 hoặc gửi email tới help@mouser.com.