SSM3J338R,LF

Toshiba
757-SSM3J338RLF
SSM3J338R,LF

Nsx:

Mô tả:
MOSFETs Small-signal MOSFET Vdss= -12V, ID= -6A

Bảng dữ liệu:
Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.
Thêm Thông tin
Tìm hiểu thêm về Toshiba SSM3J338R,LF

Có hàng: 191,103

Tồn kho:
191,103
Có thể Giao hàng Ngay
Đang đặt hàng:
42,000
Dự kiến 06/03/2026
Thời gian sản xuất của nhà máy:
18
Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:
Đóng gói:
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 3000)

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
Cut Tape / MouseReel™ †
$0.49 $0.49
$0.299 $2.99
$0.194 $19.40
$0.143 $71.50
$0.128 $128.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 3000)
$0.098 $294.00
$0.095 $570.00
$0.082 $738.00
$0.079 $1,896.00
† $7.00 Phí MouserReel™ sẽ được thêm và tính vào giỏ hàng của bạn. Không thể hủy và gửi trả tất cả đơn hàng MouseReel™. ↩

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
Toshiba
Danh mục Sản phẩm: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SOT-23F
P-Channel
1 Channel
12 V
6 A
17.6 mOhms
- 8 V, 8 V
300 mV
+ 150 C
1 W
Enhancement
U-MOSVII
Reel
Cut Tape
MouseReel
Nhãn hiệu: Toshiba
Cấu hình: Single
Loại sản phẩm: MOSFETs
Sê-ri: SSM3J338
Số lượng Kiện Gốc: 3000
Danh mục phụ: Transistors
Loại transistor: 1 P-Channel
Thời gian trễ khi tắt điển hình: 383 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình: 65 ns
Đơn vị Khối lượng: 11 mg
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Discrete Solid State Drive (SSD) Solutions

Toshiba Discrete Solid State Drive (SSD) Solutions feature a broad product lineup that meets current requirements with TVS, Shottkey Barrier Diodes (SBD), LDOs, Load Switch ICs, and the powerful eFuse IC. These SSDs can parse through data quicker than a traditional Hard Disk Drive (HDD). As SSD technology improves, it will require power circuitry that meets increasingly rigorous power demands and protection that keeps essential data safe from failures. Toshiba offers a comprehensive lineup of load switches and MOSFETs for controlling power inputs, protection ICs, and diodes designed to handle abnormal input power conditions and overvoltage surges during hotplug.

U-MOSVII MOSFETs

Toshiba U-MOSVII MOSFETs are single and dual P-channel MOSFETs with low voltage gate drive and low drain-source on-resistance. These Toshiba devices have a drain-source voltage range of -12V to -20V and a continuous drain current range from -1A to +14A. The U-MOSVII MOSFETs are offered in a wide range of package types for design flexibility.

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến.


Bạn có câu hỏi? Vui lòng truy cập Trung tâm Trợ giúp.
Để hỏi về một đơn hàng cụ thể, vui lòng đăng nhập vào tài khoản của bạn.

Nếu bạn gặp thêm vấn đề, vui lòng liên hệ với chúng tôi theo số 800-346-6873 hoặc gửi email tới help@mouser.com.